[发明专利]用于改善非平面表面的CMP耐刮擦性的方法

说明书

技术领域

本公开总体涉及微电子器件，并且更具体地涉及微电子器件的制造方法。

背景技术

一些集成电路在包含键合焊盘的顶部金属化层上方具有保护外涂(PO)层，其中PO层中的开口暴露键合焊盘。集成电路通过在PO层上方形成适于引线键合的金属衬里来制造，该金属衬里延伸到PO层开口中并且延伸到暴露的键合焊盘上。随后通过化学机械抛光(CMP)工艺基本上去除PO层的顶表面上方的金属衬里，将金属衬里留在键合焊盘上。CMP工艺使用具有磨料颗粒和腐蚀性化学物质的浆料来去除金属衬里；磨料颗粒和腐蚀性化学物质侵蚀键合焊盘上的金属衬里，引起键合焊盘的腐蚀和集成电路的可靠性问题。

增加金属衬里的厚度增加了沉积工艺和CMP工艺的成本和复杂性，并且没有表现出从CMP浆料对金属衬里的损害的期望减少。添加额外的图案步骤或电镀工艺以保护金属衬里也不期望地增加了制造成本和复杂性。使用较厚的顶部金属增加了图案化的难度并限制了最小特征和衬里分离。

发明内容

在所描述的示例中，微电子器件通过在具有键合焊盘的互连区域上方形成PO层而形成，使得PO层具有形成凹部的开口；键合焊盘暴露在凹部中。在PO层上方形成金属衬里，该金属衬里延伸到凹部中并且延伸到键合焊盘上。在金属衬里上方形成保护层，该保护层延伸到凹部中。CMP工艺从PO层的顶表面上方去除保护层和金属衬里，将保护层和金属衬里留在凹部中。随后从凹部中基本上去除保护层，将金属衬里留在键合焊盘上的凹部中。

在进一步的示例中，通过提供在顶表面处具有凹部的衬底和在衬底的顶表面上方形成并延伸到凹部中的衬里层来形成微电子器件。在衬里层上方形成保护层，该保护层延伸到凹部中。CMP工艺从衬底的顶表面上方去除保护层和衬里层，将保护层和衬里层留在凹部中。随后从凹部中基本上去除保护层，将衬里层留在凹部中。

附图说明

图1A至图1G是在示例形成序列的连续阶段中描绘的微电子器件的截面。

图2A至图2I是在示例形成序列的连续阶段中描绘的另一微电子器件的截面。

图3A至图3C是在示例形成序列的连续阶段中描绘的可替代微电子器件的截面。

具体实施方式

附图不是按比例绘制的。一些行为可能以不同的顺序发生和/或与其它行为或事件同时发生。此外，并不要求所有示出的行为或事件实施根据示例实施例的方法。