[发明专利]具有主动电荷消除的跟踪和保持有效

专利信息
申请号: 201680043183.2 申请日: 2016-09-12
公开(公告)号: CN107852168B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: H·艾格若瓦;M·I·艾尔查莫斯 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12;H03K17/16
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵志刚;赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 主动 电荷 消除 跟踪 保持
【权利要求书】:

1.一种用于对输入信号进行采样的电路,其包含:

适于接收所述输入信号的输入端子;

初级采样电容器;

初级开关晶体管,其耦合在所述输入端子和所述初级采样电容器之间,并且被配置为在跟踪状态中将所述输入端子耦合到所述初级采样电容器;并且在保持状态中将所述输入端子与所述初级采样电容器隔离;

耦合到所述初级采样电容器的消除晶体管,其中所述消除晶体管是场效应晶体管;以及

耦合到所述消除晶体管的主体端子的第二开关,并且所述第二开关被配置为在所述保持状态中将所述消除晶体管的所述主体端子耦合到参考电压,并且在所述跟踪状态中将所述消除晶体管的所述主体端子耦合到公共电压,其中所述消除晶体管的所述主体端子被耦合到所述消除晶体管的栅极端子。

2.根据权利要求1所述的电路,其中所述初级开关晶体管是场效应晶体管,所述电路进一步包含:

耦合到所述初级开关晶体管的主体端子的第一开关,并且所述第一开关被配置为在所述跟踪状态中将所述初级开关晶体管的所述主体端子耦合到所述初级开关晶体管的源极端子,并且在所述保持状态中将所述初级开关晶体管的所述主体端子耦合到公共电压。

3.根据权利要求1所述的电路,其中所述参考电压近似等于所述初级采样电容器两端的电压。

4.根据权利要求1所述的电路,进一步包含辅助保持电路,其包含:

辅助采样电容器;以及

辅助开关晶体管,其被配置为:在所述跟踪状态中将所述输入端子耦合到所述辅助采样电容器;并且在所述保持状态中将所述输入端子与所述辅助采样电容器隔离;

其中所述辅助采样电容器被配置为在所述保持状态中耦合到所述消除晶体管。

5.根据权利要求4所述的电路,进一步包含缓冲放大器,所述缓冲放大器包含:

输入端子,其耦合到所述辅助采样电容器;以及

输出端子,其被配置为在所述保持状态中耦合到所述消除晶体管。

6.根据权利要求1所述的电路,进一步包含缓冲放大器,所述缓冲放大器包含:

输入端子,其耦合到所述初级采样电容器;以及

输出端子,其被配置为在所述保持状态中耦合到所述消除晶体管。

7.根据权利要求1所述的电路,其中所述消除晶体管的源极端子被连接到所述消除晶体管的漏极端子。

8.根据权利要求1所述的电路,其中所述消除晶体管大约是所述初级开关晶体管的一半大。

9.一种用于模数转换的电路,其包含:

适于接收输入信号的输入端子;

第一采样电容器;

第一开关晶体管,其耦合在所述输入端子和所述第一采样电容器之间,并且被配置为:当所述第一开关晶体管处于低阻抗状态时,将所述输入端子耦合到所述第一采样电容器;并且当所述第一开关晶体管处于高阻抗状态时,将所述输入端子与所述第一采样电容器隔离;

耦合到所述第一采样电容器的电荷消除晶体管;以及

耦合到所述电荷消除晶体管的主体端子的开关,并且所述开关被配置为当所述第一开关晶体管处于所述高阻抗状态时,将所述电荷消除晶体管的所述主体端子耦合到参考电压,并且当所述第一开关晶体管处于所述低阻抗状态时,将所述电荷消除晶体管的所述主体端子耦合到公共电压,其中所述电荷消除晶体管的所述主体端子被耦合到所述电荷消除晶体管的栅极端子。

10.根据权利要求9所述的电路,其中所述参考电压近似等于所述第一采样电容器两端的电压。

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