[发明专利]磁体制备

权利要求书

1.一种经由非粉体路线的用于制备稀土磁体的方法，所述方法包括以下步骤：

将稀土合金在高温下暴露于氢气以实现所述合金在没有爆裂的情况下的氢化和歧化；

机械加工所述歧化的合金；和

使所述加工的合金脱气以实现所述合金的氢脱附和重组，

其中所述稀土合金是固体材料并且不破裂成粉体，并且

其中机械加工所述歧化的合金包括压制、轧制和/或挤出所述歧化的合金。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述稀土合金选自NdFeB、SmCo₅、Sm₂(Co,Fe,Cu,Zr)₁₇和SrFe₁₂O₁₉。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述稀土合金是NdFeB。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氢气的压力为1毫巴至20巴。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述合金暴露于氢气达30分钟至48小时的时间期。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述稀土合金在将所述合金暴露于氢气的步骤期间被约束。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述稀土合金被约束在选自模具、管、套筒或环的约束元件内。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在将所述合金暴露于氢气之前，将熔融的稀土合金浇铸到模具中并且使所述合金固化。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述铸造的合金在将所述合金暴露于氢气的步骤期间被保留在所述模具内。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中所述高温为至少400℃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述高温为至少600℃。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述高温为不超过1000℃。

13.根据权利要求1所述的方法，其中机械加工所述歧化的合金包括将所述合金形成为片材。

14.根据权利要求1所述的方法，其中使所述加工的歧化合金在不超过100毫巴的压力下脱气。

15.根据权利要求1所述的方法，其中使所述加工的歧化合金在600至700℃的温度下脱气。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括通过将所述歧化的合金在至少900℃的温度下暴露于氢气达至少6小时来使所述歧化的合金均质化。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述稀土合金是铸锭、固相烧结磁体或带坯连铸片。