[发明专利]工件处理技术

说明书

本发明公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。本发明通过测量离子束的随离子束位置而变的实际处理速率剖面，可实现对工件的经改善处理。

技术领域

本发明的实施例涉及一种选择性地处理工件的方法，且更具体地说，涉及对半导体工件选择性地执行蚀刻、沉积或非晶化处理。

背景技术

提高半导体装置成品率是一项持续的目标。可改善的一个方面为跨越工件的均匀性控制。在某些处理中，工件可在一个区中(例如，在工件中心附近)接收比在其它区中更多的处理。

举例而言，与在工件外边缘附近相比，沉积处理可在所述工件的中心附近沉积更多材料。此可归因于在沉积腔室中心附近增加的等离子体密度。

在另一实例中，与工件的中心相比，旋涂处理可在所述工件的外边缘附近留下更多材料。此可归因于朝向工件的外边缘推送涂料的离心力。

在这些实例中的每一者中，此处理不均匀性可能不利地影响半导体工件的成品率。在一些情况下，作出改善处理均匀性的努力。然而，可能存在对可实现的均匀性程度的限制。

举例来说，用以处理半导体工件以校正此不均匀性的离子束本身可为不均匀的。离子束的此不均匀性可能造成对工件的不同处理速率。存在可用以尝试测量及量化或校正离子束的均匀性的某些技术。然而，此类工具的粒度对于这些选择性区域处理来说可能为不足的。此外，所述处理可能不直接与离子束电流有关。举例来说，例如氧气的物质的背景气体含量可改变蚀刻、非晶化或沉积速率。因而，将为有益的是存在一种更精确地量化离子束的不同部分可处理工件的速率且使用此信息随后处理一或多个工件的方法。此外，如果此定量不影响处理设备的生产量将为有利的。

发明内容

公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量，确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率，所述实际速率被称为处理速率剖面。随后，确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面，确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中，在第一处理之后确定经更新厚度剖面，且基于经更新厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。

根据一个实施例，公开一种处理工件的方法。所述方法包括：测量第一工件的最初厚度剖面；在预定时间内或以预定剂量朝向所述第一工件引导离子束；在所述引导之后测量所述第一工件的经更新厚度剖面；基于所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差确定所述离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面；以及基于所述离子束的所述蚀刻速率剖面处理第二工件。在一些实施例中，使用多个遍次执行对所述第二工件的处理，其中在每一遍次期间，所述离子束跨越所述第二工件进行扫描，其中所述蚀刻速率剖面用以确定选自由遍次的数目以及在每一遍次期间使用的操作参数组成的群的第一组处理参数。所述操作参数可选自由以下各项组成的群：扫描速度剖面、所述离子束的工作循环、抽取电流或电压以及进给气体的压力。在某些实施例中，使用反射计测量所述最初厚度剖面和所述经更新厚度剖面。对所述第二工件的所述处理可包括蚀刻处理、沉积处理或非晶化处理。