[发明专利]射频功率放大器和电流增强驱动器

权利要求书

1.一种射频功率放大器RFPA，该射频功率放大器RFPA包括：

高功率输出级，该高功率输出级包括第一耗尽型场效应晶体管FET；以及

驱动器，该驱动器具有驱动器输出节点，该驱动器输出节点联接到所述高功率输出级的输入，所述驱动器包括：第二耗尽型场效应晶体管FET，该第二耗尽型场效应晶体管FET具有连接到所述驱动器输出节点的源极；第三耗尽型场效应晶体管FET，该第三耗尽型场效应晶体管FET具有连接到所述第二耗尽型场效应晶体管FET的所述源极的漏极；以及电感器，该电感器具有联接到所述驱动器输出节点的第一端子和被配置为连接到第一电源的第二端子，

其中，所述第二耗尽型场效应晶体管FET在被导通ON时与所述电感器并联，并且供给补充由所述电感器所供给的电感器电流的、从第二电源供给的电流，以对所述第一耗尽型场效应晶体管FET的输入栅极电容器充电，并且

其中，当所述第三耗尽型场效应晶体管FET被导通ON时，所述第三耗尽型场效应晶体管FET用作放电路径和电感器充电路径两者，所述第一耗尽型场效应晶体管FET的输入栅极电容器通过该放电路径放电，且在所述第一耗尽型场效应晶体管FET的输入栅极电容器放电时，由所述第二电源供给的电流通过该电感器充电路径对所述电感器充电。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器RFPA，其中，所述第二耗尽型场效应晶体管FET和所述第三耗尽型场效应晶体管FET被设置并连接为图腾柱式构造。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器RFPA，其中，所述第一耗尽型场效应晶体管FET包括高功率氮化镓高电子迁移率晶体管GaN-HEMT。

4.根据权利要求3所述的射频功率放大器RFPA，其中，所述第二耗尽型场效应晶体管FET和所述第三耗尽型场效应晶体管FET包括第二高功率氮化镓高电子迁移率晶体管GaN-HEMT和第三高功率氮化镓高电子迁移率晶体管GaN-HEMT。

5.根据权利要求1所述的射频功率放大器RFPA，其中，所述第二电源与所述第一电源相同。

6.根据权利要求1所述的射频功率放大器RFPA，其中，与所述电感器并联的所述第二耗尽型场效应晶体管FET用来对所述驱动器输出节点能够上升到的电压进行箝位。

7.根据权利要求6所述的射频功率放大器RFPA，其中，所述驱动器输出节点被箝位的电压被控制为，防止所述第一耗尽型场效应晶体管FET的输入肖特基二极管导通ON。

8.根据权利要求1所述的射频功率放大器RFPA，其中，在导通ON时，所述第二耗尽型场效应晶体管FET被配置为提供过电流路径，由所述电感器供给且不需要对所述第一耗尽型场效应晶体管FET的所述输入栅极电容器充电的额外电流能够流过该过电流路径。

9.根据权利要求1所述的射频功率放大器RFPA，所述射频功率放大器RFPA还包括：

AC联接电容器，该AC联接电容器具有：连接到所述驱动器输出节点的第一端子；和连接到所述第一耗尽型场效应晶体管FET的第二端子；以及

DC偏置电路，该DC偏置电路联接到所述第一耗尽型场效应晶体管FET的栅极。