[发明专利]使用穿透金属物体的直接场的无线功率传输

权利要求书

1.一种用于电子设备中的无线功率接收的装置，包括：

壳体，被配置为容纳所述电子设备的电子部件，所述壳体包括用于容纳所述电子部件的非导电支承基底和布置在所述支承基底上的金属层；以及

相对于所述金属层的限定连续的、不间断的、不中断的表面的区域布置的功率接收元件，

所述功率接收元件被配置为磁性耦合到外部生成的磁场以针对所述电子设备的所述电子部件中的一个或多个电子部件产生功率。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述壳体包括被形成为穿过所述支承基底和所述金属层的开口。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述金属层被配置为使得所述外部生成的磁场穿透所述金属层以磁性耦合到所述功率接收元件。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述功率接收元件被配置为磁性耦合到感应磁场，所述感应磁场响应于当所述金属层暴露于所述外部生成的磁场时在所述金属层中感应的涡流而从所述金属层发出。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述金属层的厚度不足以向所述壳体提供结构支承。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述金属层的厚度为0.01mm或更小。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述外部生成的磁场的频率为300KHz或更小。

8.根据权利要求1所述的装置，还包括谐振电路，所述谐振电路由所述功率接收元件和电容器网络限定并且具有等于所述外部生成的磁场的频率的谐振频率。

9.根据权利要求1所述的装置，还包括与所述功率接收元件至少部分交叠的铁氧体材料。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述支承基底包括凹陷部分，所述功率接收元件布置在所述凹陷部分中。

11.根据权利要求1所述的装置，还包括布置在所述功率接收元件与所述金属层之间的铁氧体材料。

12.根据权利要求1所述的装置，还包括具有第一部分和第二部分的铁氧体材料，所述第一部分和所述第二部分将所述功率接收元件夹在所述第一部分与所述第二部分之间。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述支承基底包括碳纤维化合物、碳纳米管材料、陶瓷基材料或玻璃纤维、或者其组合。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述金属层包括铜、铝、镁、碳钢、钛或不锈钢、或者其组合中的至少一项。

15.一种用于电子设备中的无线功率接收的方法，包括：

通过布置在非导电支承基底上的金属层将布置在非导电支承基底的表面上的功率接收元件磁性耦合到外部生成的磁场，其中所述功率接收元件相对于所述金属层的限定连续的、不间断的、不中断的表面的区域被布置；

对响应于耦合到所述外部生成的磁场而在所述功率接收元件中感应的电压进行整流以产生DC电压；以及

使用所述DC电压对所述电子设备供电。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括调谐所述功率接收元件以具有等于所述外部生成的磁场的频率的谐振频率。