[发明专利]多反射镜阵列有效
| 申请号: | 201680018216.8 | 申请日: | 2016-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN107407801B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
| 发明(设计)人: | J.霍恩;S.图尔克;O.诺德曼;U.比尔 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军;王蕊瑞 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反射 阵列 | ||
1.一种微光刻的投射曝光设备(1)的照明光学单元(4)的多反射镜阵列,包括:
1.1具有反射区域(20)的多个可移位反射镜元件(19),
1.2多个致动器,位移所述反射镜元件(19),以及
1.3多个被动电衰减装置(39),衰减所述反射镜元件(19)的位移位置的扰动,
1.4其中,所述致动器为了位移所述反射镜元件(19)中的一个反射镜元件而各具有至少一个致动器电极(33),致动信号能够通过信号线(36)施加到所述致动器电极,
1.5其中,所述衰减装置(39)为了衰减所述反射镜元件(19)的位移位置的扰动,各以与所述致动器电极(33)之一串联连接的方式布置,
1.6其中,所述衰减装置(39)包括从反向并联连接二极管,开关电容器结构和晶体管电路的组中选择的至少一个装置,
1.7其中,所述衰减装置是可变可调的,以及
以下条件中的至少一个适用:
i)所述衰减装置各实施为具有的面积最多为关联的反射镜元件的反射区域的10%的结构;
ii)所述多反射镜阵列还包含在致动器路程中的低通滤波器,该低通滤波器具有1000Hz的截止频率且从10kHz的频率起,具有至少25dB的衰减;
iii)所述衰减装置各实施为具有的面积最多为关联的反射镜元件的反射区域的10%的结构;
iv)所述多反射镜阵列还包含在致动器路程中的低通滤波器,该低通滤波器具有1000Hz的截止频率且从10kHz的频率起,具有至少25dB的衰减;以及
v)所述多反射镜阵列还包含在致动器路程中的低通滤波器,该低通滤波器具有1000Hz的截止频率且从10kHz的频率起,具有至少25dB的衰减,其中所述衰减装置各实施为ASIC上结构。
2.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,所述衰减装置(39)各实施为能量耗散装置。
3.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,所述衰减装置(39)各实施为ASIC上结构。
4.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,所述衰减装置(39)各实施为具有的面积最多为关联的反射镜元件(19)的反射区域的10%的结构。
5.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,所述衰减装置各具有的有效串联电阻的范围为1MΩ至100GΩ。
6.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,所述衰减装置(39)具有至少一个开关电容器结构(42),该至少一个开关电容器结构的开关频率的范围为10kHz至10MHz。
7.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,在所述致动器路程中提供低通滤波器,该低通滤波器具有1000Hz的截止频率且从10kHz的频率起,具有至少25dB的衰减。
8.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,所述衰减装置各实施为ASIC上结构。
9.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,所述衰减装置各实施为具有的面积最多为关联的反射镜元件的反射区域的10%的结构。
10.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,每个衰减装置具有的有效串联电阻的范围为1MΩ至100GΩ。
11.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,所述衰减装置具有至少一个开关电容器结构,该至少一个开关电容器结构的开关频率的范围为10kHz至10MHz。
12.根据权利要求1所述的多反射镜阵列,其特征在于,所述多反射镜阵列还包含在致动器路程中的低通滤波器,该低通滤波器具有1000Hz的截止频率且从10kHz的频率起,具有至少25dB的衰减。
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