[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

基板处理装置包括用于控制基板保持单元、蚀刻液供给单元以及多个电极的控制装置。控制装置执行：蚀刻工序，一边使基板围绕旋转轴线旋转，一边向基板供给蚀刻液；蚀刻带电工序，对多个电极施加电压，以使施加电压的绝对值按照第一电极和第二电极的顺序增加，从而与蚀刻工序并行地使基板带电。

技术领域

本发明涉及处理基板的基板处理装置和基板处理方法。在成为处理对象的基板中例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field EmissionDisplay：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

在专利文献1中，公开了一张一张地处理基板的单片型基板处理装置。在该基板处理装置中，在抗蚀剂去除处理、冲洗处理中，为了抑制或防止基板被氧化，在基板的整个区域大致均匀带负电的状态下，向基板的表面供给SPM(包含硫酸和过氧化氢水的混合液)等处理液。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-238862号公报

发明内容

发明要解决的课题

在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，进行蚀刻半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板的蚀刻工序。在专利文献1中，虽然公开了利用基板的带电来抑制或防止基板氧化的情况，但对于蚀刻基板却没有公开。

于是，本发明的一个目的在于，利用基板的带电来提高蚀刻的均匀性。

解决问题的手段

本发明的一个实施方式提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，一边保持基板一边使所述基板围绕通过所述基板的中央部的旋转轴线旋转；蚀刻液供给单元，向被所述基板保持单元保持的基板的主面供给蚀刻液；多个电极，具有：第一电极，与被所述基板保持单元保持的基板相对；第二电极，相对于所述旋转轴线配置在比所述第一电极更远的位置，并且与被所述基板保持单元保持的基板相对；控制装置，用于控制所述基板保持单元、蚀刻液供给单元以及多个电极。

所述控制装置被程序化为执行如下的工序：蚀刻工序，一边使基板围绕所述旋转轴线旋转，一边向所述基板的主面供给蚀刻液；蚀刻带电工序，对所述多个电极施加电压，以使施加电压的绝对值按照所述第一电极和第二电极的顺序增加，从而与所述蚀刻工序并行地使所述基板的主面带电。“基板的主面”表示作为器件形成面的表面或者与表面相反的背面。

当一边使基板在水平面内旋转一边向基板的上表面中央部供给蚀刻液时，基板的蚀刻量在基板的上表面中央部最大，并且随着远离基板的上表面中央部而减少(参照图7的虚线)。当使针对基板上表面的蚀刻液的着落位置在中央部与周缘部之间移动时，虽然蚀刻的均匀性提高，但仍然呈现这样的山形分布。

本发明的发明者们已知，在正和负中的任一情况下使基板的主面(表面或背面)带电时，每单位时间的蚀刻量(蚀刻速率)增加。而且已知，蚀刻速率随着基板的主面的带电量增加而增加。因此，当使基板的主面带电，以使带电量随着远离基板的主面中央部而连续或逐步地增加时，能够提高蚀刻的均匀性(参照图7的双点划线)。

在所述实施方式的基板处理装置中，通过对多个电极施加电压，使基板带电。并且，在基板带电的状态下，一边使基板围绕通过基板中央部的旋转轴线旋转，一边向基板的主面供给蚀刻液。由此，对基板的主面进行蚀刻。

多个电极包括与基板相对的第一电极和第二电极。从基板的旋转轴线至第一电极的径向(与旋转轴线正交的方向)的距离小于从基板的旋转轴线至第二电极的径向的距离。即，第二电极在比第一电极更靠外侧的位置与基板相对。