[实用新型]一种物理化学气相沉积装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及应用仪器设备技术领域，特别涉及一种物理化学气相沉积装置，适合于制备高质量、高性能镁B2超导膜。

背景技术

目前，制备超导薄膜的方法很多，如激光沉积、溅射、分子束外延等，但大多数方法都只能制备单层超导薄膜，单层超导薄膜一般只能用来制备超导导线，其用途比较单一，而多层超导薄膜可以用来制作超导器件或集成电路等，用途十分广泛。中国专利号CN200610201503.0公开了一种“双加热装置及其化学气相沉积法制备多层超导薄膜工艺”，具有装置结构简单，容易操作，成本低廉的特点，同时便于制备大面积多层超导薄膜，利于实际应用，然而其在制造生产过程中，将镁锭放置在镁锭加热器上，镁锭通常为块状结构，导致其加热蒸发效果较差，采用平面置放影响了整体的加热效果，且底部采用螺杆调节，存在调整精度不足，影响整体生产质量的把控。

实用新型内容

本实用新型解决上述不足，提供了一种物理化学气相沉积装置，具有加热控制性能好、使用方便、调整精度高的特点。

本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

一种物理化学气相沉积装置，包括真空沉积室、通气装置和加热装置，所述加热装置由上加热器和下加热器构成，所述上加热器位于所述真空沉积室顶部，所述下加热器位于所述上加热器正下方，所述下加热器与所述真空沉积室底表面之间设有一调节升降装置，所述上加热器下表面上设有一衬底基片夹，所述上加热器由上加热元件和上温控器构成，所述下加热器由下加热元件和下温控器构成，所述上加热元件采用钼金属材料制成，所述上加热元件下表面为抛光平面结构，所述下加热元件采用石墨材料制成，所述下加热元件上表面中部设有一向下凹陷的加料槽，所述加料槽底部采用圆形平底结构，所述加料槽槽壁采用圆锥壁结构。

所述调节升降装置包括一基座法兰，所述基座法兰与所述下加热器下部固定安装，所述基座法兰下部连接设有一升降丝杠，所述升降丝杆底部贯穿所述真空沉积室并连接一驱动涡轮，所述驱动涡轮连接一转动手柄，所述驱动涡轮外表面上刻有标尺。

所述升降丝杠与所述真空沉积室之间设有一密封壳。

所述衬底基片夹采用钼片夹。

本实用新型通过与现有技术相比具有如下有益效果：本实用新型通过优化设计，具有加热控制性能好、使用方便、调整精度高的特点。

本实用新型的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的下加热元件俯视结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。