[实用新型]GaN氮化镓功率倍增模块

权利要求书

1.一种GaN氮化镓功率倍增模块，其特征在于：采用GaN裸芯片和陶瓷基板结构，包括供电单元(10)、输入端口保护单元(20)、第一阻抗匹配单元(30)、功率放大单元(40)、第二阻抗匹配单元(50)、输出端口保护单元(60)，输入端口保护单元(20)与第一阻抗匹配单元(30)电连接，第一阻抗匹配单元(30)与功率放大单元(40)电连接，功率放大单元(40)与第二阻抗匹配单元(50)电连接，第二阻抗匹配单元(50)与输出端口保护单元(60)电连接；输入端口保护单元(20)与第一阻抗匹配单元(30)构成输入级，在输入级采用共源电路结构；第二阻抗匹配单元(50)与输出端口保护单元(60)构成输出级，在输出级采用共源共栅电路结构。

2.根据权利要求1所述的GaN氮化镓功率倍增模块，其特征在于：第一阻抗匹配单元(30)和第二阻抗匹配单元(50)中分别设有平衡－不平衡变压器。

3.根据权利要求1所述的GaN氮化镓功率倍增模块，其特征在于：在输入端口保护单元(20)和输出端口保护单元(60)中分别设有T型高通滤波电路，T型高通滤波电路和瞬态电压抑制器TVS一起形成对静电和浪涌的防护。

4.根据权利要求1所述的GaN氮化镓功率倍增模块，其特征在于：功率放大单元(40)采用GaN氮化镓功率倍增放大芯片IC1，GaN氮化镓功率倍增放大芯片IC1采用推挽二级级联放大电路，平衡信号分别经过IC1的A、B放大通道进行对称放大。

5.根据权利要求1所述的GaN氮化镓功率倍增模块，其特征在于：输入端口保护单元(20)由电容C5、C6、C7和电感L2以及瞬态电压抑制器TVS2组成，电容C5、电容C6、电容C7依次串联，电容C7的一端为信号输入端，来自模块信号输入脚，瞬态电压抑制器TVS2的一端与电容C6一端、电容C7另一端电连接，瞬态电压抑制器TVS2的另一端接地，电感L2一端与电容C5一端、电容C6另一端电连接，电感L2的另一端接地，电容C5的另一端与电感L1的一端电连接，电容C5、C6和电感L2组成的T型高通滤波电路；

输出端口保护单元(60)由电容C15、C16、C17和电感L6以及瞬态电压抑制器TVS3组成，电容C15、电容C16、电容C17依次串联，电容C15的一端与电感L5另一端电连接，电容C15另一端与电容C16一端、电感L6一端电连接，电感L6的另一端接地，电容C16另一端和瞬态电压抑制器TVS3一端、电容C17一端电连接，瞬态电压抑制器TVS3的另一端接地，瞬态电压抑制器TVS3用于静电和浪涌防护，电容C17的另一端为信号输出端，电连接到模块信号输出脚，电容C15、C16和电感L6组成的T型高通滤波电路。

6.根据权利要求1所述的GaN氮化镓功率倍增模块，其特征在于：第一阻抗匹配单元(30)由电感L1和电容C4和变压器T1、T2组成，电感L1另一端与变压器T1的2脚电连接，隔直电容C4一端与变压器T1的1脚电连接，另一端接地，变压器T1的3、4脚分别电连接到变压器T2的3、2脚，变压器T2的1、4脚接地，变压器T1、T2组成不平衡-平衡变压器，平衡输出两路信号分别电连接到电阻R3、R4的一端和电阻R3、R5的一端。