[实用新型]一种基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器有效
| 申请号： | 201621219934.5 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN206236676U | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谭秋红;杨必想;张粉祝;王前进;刘应开;蔡武德;杨志坤 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/45 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所53110 | 代理人： | 叶健 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 电极 层状 二硫化钼 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器，其特征在于，包括栅电极（1）、铁电绝缘层（2）、二硫化钼沟道层（3）、石墨烯源电极（4）和石墨烯漏电极（5），所述栅电极（1）上设置有铁电绝缘层（2），所述铁电绝缘层（2）上设置有二硫化钼沟道层（3），所述二硫化钼沟道层（3）上设置有石墨烯源电极（4）和石墨烯漏电极（5）。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器，其特征在于，所述栅电极（1）的材料为n型重掺杂硅片。
3.根据权利要求1所述的基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器，其特征在于，所述铁电绝缘层（2）的材料为铁酸铋。
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