[实用新型]生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED有效
| 申请号： | 201621192392.7 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN206834195U | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王文樑;杨美娟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 镓酸锂 衬底 极性 纳米 led | ||
1.生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。
2.根据权利要求1所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：所述LiGaO2衬底以(100)面偏(110)方向0.2～1°为外延面。
3.根据权利要求1所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：GaN纳米柱阵列是非极性面GaN，晶体外延取向关系为：GaN的(1-100)面平行于LiGaO2的(100)面。
4.根据权利要求1所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：所述GaN纳米柱阵列的高度为500～1000nm，间距为150～250nm，直径为100～200nm。
5.根据权利要求1所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：所述非掺杂GaN层的厚度为200～300nm；所述n型掺杂GaN层的厚度为2～4μm；
所述InGaN/GaN量子阱为8～13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3～5nm，GaN垒层的厚度为10～15nm；
所述p型掺杂GaN层的厚度为300～350nm。
6.根据权利要求1所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED还包括隔离层，所述隔离层沉积在GaN纳米柱阵列的侧壁和未被纳米柱阵列覆盖的LiGaO2衬底上。
7.根据权利要求6所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED，其特征在于：所述隔离层的厚度为10～50nm。
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