[实用新型]一种低温多晶硅式晶体管及其显示装置有效
| 申请号： | 201621169444.9 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN206210806U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 邱大维 | 申请（专利权）人： | 友达光电（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 晶体管 及其 显示装置 | ||
1.一种低温多晶硅式晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅式晶体管包含:
一基板；
一第一绝缘层，设置于所述基板；
一低温多晶硅层，设置于所述第一绝缘层，其中所述低温多晶硅层具有一源极区、一漏极区、一通道区与一轻掺杂区，其中所述源极区与所述漏极区分别位于所述通道区的两侧，而所述轻掺杂区位于所述通道区与所述源极区之间以及所述通道区与所述漏极区之间；
一第二绝缘层，设置于所述低温多晶硅层，使得所述低温多晶硅层位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；
一第一金属层，设置于所述基板，使得所述第二绝缘层位于所述第一金属层与所述低温多晶硅层之间；
一第三绝缘层，设置于所述第二绝缘层；
一第四绝缘层，设置于所述第三绝缘层；
一第一栅极开口，形成于所述第三绝缘层；
一第二栅极开口，形成于所述第四绝缘层；
一第二金属层，分别与所述源极区与所述漏极区所接触；以及
一第三金属层，部分之所述第三金属层容纳于所述第一栅极开口与所述第二栅极开口内，使得所述第三金属层与所述第一金属层接触。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅式晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅式晶体管更包含一第五绝缘层，且所述第五绝缘层设置于所述第四绝缘层，其中部分之所述第三金属层位于所述第四绝缘层与所述第五绝缘层之间。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅式晶体管，其特征在于，所述第一金属层为钼。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅式晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅式晶体管更包含：
一底金属层，设于所述第一绝缘层与所述基板之间，使得所述第一绝缘层位于所述底金属层与所述第一金属层之间；
一第一底栅极开口，形成于所述第一绝缘层；
一第二底栅极开口，形成于所述第二绝缘层；
一第三底栅极开口，形成于所述第三绝缘层；以及
一第四底栅极开口，形成于所述第四绝缘层，其中部分之所述第三金属层容纳于所述第一底栅极开口、所述第二底栅极开口、一第三底栅极开口与所述第四底栅极开口内，使得所述第三金属层与所述底金属层接触。
5.一种低温多晶硅式晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅式晶体管包含：
一基板；
一底金属层，设置于所述基板；
一第一绝缘层，设于所述基板，且所述底金属层位于所述基板与所述第一绝缘层之间；
一低温多晶硅层，设置于所述第一绝缘层，其中所述低温多晶硅层具有一源极区、一漏极区、一通道区与一轻掺杂区，其中所述源极区与所述漏极区分别位于所述通道区的两侧，而所述轻掺杂区位于所述通道区与所述源极区之间以及所述通道区与所述漏极区之间；
一第二绝缘层，设置于所述低温多晶硅层，使得所述低温多晶硅层位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；
一第一底栅极开口，形成于所述第一绝缘层；
一第二底栅极开口，形成于所述第二绝缘层；
一第二金属层，分别与所述源极区与所述漏极区所接触；以及
一第三金属层，部分之所述第三金属层容纳于所述第一底栅极开口与所述第二底栅极开口内，使得所述第三金属层与所述底金属层接触。
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