[实用新型]LED灯有效
| 申请号: | 201621057918.0 | 申请日: | 2016-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN206149545U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
| 发明(设计)人: | 张磊;刘圆强;刁智海 | 申请(专利权)人: | 飞利浦照明(中国)投资有限公司 |
| 主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 李辉,董典红 |
| 地址: | 200233 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | led | ||
1.一种LED灯(100,200),其特征在于,包括分别具有不同颜色或色温的多个LED单元(110),和分别驱动所述多个LED单元(110)的驱动电路(120),还包括:
-输入端(130),用于连接到外部开关以接收输入功率;
-触发器(140),用于检测所述输入功率的突然提供并提供触发信号;
-翻转器(150),具有逻辑输入以及连接到所述触发器的时钟输入,所述翻转器以所述触发器(140)的所述触发信号作为时钟信号来输出所述逻辑输入上的逻辑值;
-反向器(160),连接到所述翻转器(150)的输出,将所述翻转器(150)的输出反向并输出,其中所述反向器(160)的输出还连接到所述翻转器(150)的所述逻辑输入;以及
-颜色或色温调节电路(170),用于根据所述翻转器(150)的输入或输出来改变所述驱动电路(120)对所述多个LED单元(110)的分别驱动,以改变所述LED灯(100,200)输出的总颜色或色温。
2.根据权利要求1所述的LED灯(100,200),其特征在于,还包括:定时电路(210),连接在所述反向器(160)的输出与所述翻转器(150)的逻辑输入之间,并且被配置用于根据所述外部开关的关断时间来控制所述翻转器(150)的逻辑输入上的逻辑值,从而控制是否改变所述LED灯(100,200)输出的总颜色或色温。
3.根据权利要求2所述的LED灯(100,200),其特征在于,所述定时电路(210)是RC电路,包括连接在所述反向器(160,Q3)的输出与所述翻转器(150,U1)的逻辑输入之间的电阻器(R18)和连接在所述翻转器(150,U1)的逻辑输入与接地之间的电容器(C7)。
4.根据权利要求1所述的LED灯(100,200),其特征在于,所述触发器(140)包括施密特触发器(U2)。
5.根据权利要求1所述的LED灯(100,200),其特征在于,所述翻转器(150)包括D触发器(U1)。
6.根据权利要求1所述的LED灯(100,200),其特征在于,所述颜色或色温调节电路(170)包括至少一个开关元件(Q4,Q5),所述开关元件(Q4,Q5)的输入与所述翻转器(150)的输出耦合,并且所述开关元件(Q4,Q5)的输出与所述多个LED单元(110)中的一个或多个LED单元连接,所述一个或多个LED单元的颜色或色温与所述多个LED单元(110)中的其余LED单元的颜色或色温不同。
7.根据权利要求6所述的LED灯(100,200),其特征在于,所述开关元件(Q4,Q5)包括MOSFET(Q5),所述MOSFET(Q5)的栅极与所述翻转器(150)的输出连接,所述MOSFET(Q5)的源极与所述多个LED单元(110)中的一个或多个LED单元连接,并且所述MOSFET的漏极接地。
8.根据权利要求1所述的LED灯(100,200),其特征在于,所述颜色或色温调节电路(170)包括第一开关元件(Q4)和第二开关元件(Q5),所述第一开关元件(Q4)的输入与所述反向器(160,Q3)的输出连接,并且所述第一开关元件(Q4)的输出与所述多个LED单元(110)中的具有第一颜色或色温的一个或多个LED单元(CW1-CWn)连接,而所述第二开关元件(Q5)的输入与所述翻转器(150)的输出连接,并且所述第二开关元件(Q5)的输出与所述多个LED单元(110)中的具有第二颜色或色温的一个或多个LED单元(WW1-WWn)连接。
9.根据权利要求8所述的LED灯(100,200),其特征在于,所述第一开关元件(Q4)包括第一MOSFET并且所述第二开关元件(Q5)包括第二MOSFET,所述第一MOSFET的栅极与所述反向器(160,Q3)的输出连接,所述第一MOSFET的源极与所述多个LED单元(110)中的具有第一颜色或色温的一个或多个LED单元(CW1-CWn)连接,并且所述第一MOSFET的漏极接地,而所述第二MOSFET的栅极与所述翻转器(150)的输出连接,所述第二MOSFET的源极与所述多个LED单元(110)中的具有第二颜色或色温的一个或多个LED单元(WW1-WWn)连接,并且所述第二MOSFET的漏极接地。
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