[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号: | 201611272896.4 | 申请日: | 2016-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN106910781B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
| 发明(设计)人: | 李景洙;朴相昱;李真荧 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/074;H01L31/0747;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
太阳能电池及其制造方法。本文公开了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池模块包括:半导体基板;第一钝化膜,其位于半导体基板的前表面上;第二钝化膜,其位于半导体基板的后表面上;前电场区,其位于半导体基板的前表面上的第一钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相同;发射极区,其位于半导体基板的后表面上的第二钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相反;第一电极,其导电地连接至前电场区;以及第二电极,其导电地连接至发射极区。
技术领域
本发明涉及太阳能电池及其制造方法,更具体地讲,涉及一种具有改进的结构的太阳能电池及其制造方法。
背景技术
近来,随着预期诸如石油和煤的传统能源耗尽,对取代这些能源的替代能源的关注增加。其中,作为将太阳能转换为电能的下一代电池,太阳能电池受到关注。
这种太阳能电池可通过根据设计形成各种层和电极来制造。太阳能电池的效率可由各种层和电极的设计来确定。为了使太阳能电池商业化,应该克服太阳能电池的低效率,因此,需要通过各种层和电极来使太阳能电池的效率最大化的设计。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种具有高效率的太阳能电池及其制造方法。
本发明的目的不限于上述目的,对于本领域技术人员而言上面没有提及的其它目的将从以下描述变得明显。
为了实现上述目的,根据本发明的示例性实施方式提供了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;第一钝化膜,其位于半导体基板的前表面上;第二钝化膜,其位于半导体基板的后表面上;前电场区,其位于半导体基板的前表面上的第一钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相同;发射极区,其位于半导体基板的后表面上的第二钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相反;第一电极,其导电地连接至前电场区;以及第二电极,其导电地连接至发射极区。
为了实现上述目的,根据本发明的示例性实施方式提供了一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:在半导体基板的前表面和后表面上形成第一钝化膜和第二钝化膜;形成前电场区和发射极区,所述前电场区位于半导体基板的前表面上的第一钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相同,所述发射极区位于半导体基板的后表面上的第二钝化膜上并且导电类型与半导体基板的导电类型相反;形成位于前电场区上的第一透明电极层以及位于发射极区上的第二透明电极层;以及形成位于第一透明电极层上的第一金属电极层以及位于第二透明电极层上的第二金属电极层。
附图说明
从下面结合附图进行的详细描述,本发明的以上和其它目的、特征和其它优点将更清楚地理解,附图中:
图1是根据本发明的一个实施方式的太阳能电池的横截面图;
图2是图1所示的太阳能电池的第一金属电极层和第二金属电极层的平面图;
图3A至图3E是示出根据本发明的一个实施方式的太阳能电池的制造方法的横截面图;
图4是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的横截面图;
图5是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的横截面图;以及
图6是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的横截面图。
具体实施方式
以下,将参照附图详细描述本发明的实施方式。尽管将结合示例性实施方式来描述本发明,将理解,本说明书并不旨在将本发明限于所述示例性实施方式。
在附图中,为了清楚地和简明地描述本发明,与描述无关的部分将被省略,并且贯穿附图将使用相同的标号来指代相同或相似的部分。另外,为了更清楚地描述本发明,元件的厚度、面积等可被放大或缩小,因此,元件的厚度、面积等不限于附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





