[发明专利]用于光隔离器仿真的共模瞬态抗扰性电路

权利要求书

1.一种隔离器芯片，所述隔离器芯片包括：

发送器电路，其经耦合以向第一电容器和第二电容器的相应的第一端子提供差分输出信号，所述发送器电路包括：

电压钳位电路，其经耦合以接收输入信号并提供钳位信号，

振荡器，其经耦合以接收所述钳位信号并提供所述差分输出信号，以及

共模瞬态抗扰性电路，即CMTI电路，其响应于所述钳位信号是低的，耦合所述第一电容器和所述第二电容器的所述相应第一端子至较低轨；以及

接收器电路，其经耦合以接收来自所述第一电容器和所述第二电容器的相应第二端子的所述差分输出信号。

2.根据权利要求1所述的隔离器芯片，其中，所述CMTI电路包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有经耦合以接收所述钳位信号的栅极、耦合在所述振荡器和所述第一电容器之间的源极、和耦合至所述较低轨的漏极，所述第二PMOS晶体管具有经耦合以接收所述钳位信号的栅极、耦合在所述振荡器和所述第二电容器之间的源极、和耦合至所述较低轨的漏极。

3.根据权利要求2所述的隔离器芯片，其中，所述CMTI电路进一步包括第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管具有经耦合以接收所述钳位信号的栅极、耦合至所述输出信号和所述第一PMOS晶体管的所述源极之间的点的源极以及耦合至第一NMOS晶体管的漏极的漏极，所述第四PMOS晶体管具有经耦合以接收所述钳位信号的栅极、耦合至所述输出信号和所述第二PMOS晶体管的所述源极之间的点的源极以及耦合至第二NMOS晶体管的漏极的漏极。

4.根据权利要求3所述的隔离器芯片，其中，所述CMTI电路进一步包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管中的每个的源极被耦合至所述较低轨，所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管各自具有经耦合以接收所述钳位信号的漏极，所述第三NMOS晶体管具有耦合至所述第一NMOS晶体管的所述栅极并且进一步耦合在所述第三PMOS晶体管的所述漏极和所述第一NMOS晶体管的漏极之间的栅极，所述第四NMOS晶体管具有耦合至所述第二NMOS晶体管的所述栅极并且进一步耦合在所述第四PMOS晶体管的所述漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极之间的栅极。

5.根据权利要求4所述的隔离器芯片，其中，所述发送器电路从所述输入信号得到功率。

6.根据权利要求5所述的隔离器芯片，其中所述振荡器使用扩频调制。

7.一种开关键控发送器，即OOK发送器，其包括：

振荡器，其经耦合以向第一电容器的第一端子提供第一信号并向第二电容器的第一端子提供第二信号，所述第一信号和所述第二信号形成差分对；

电压钳位电路，其经耦合以接收输入信号并向所述振荡器提供钳位信号，以及

共模瞬态抗扰性电路，即CMTI电路，其经耦合以在所述钳位信号是低的时传导所述第一电容器的所述第一端子上的电压至较低轨并传导所述第二电容器的第二端子上的电压至所述较低轨。

8.根据权利要求7所述的OOK发送器，其中，所述CMTI电路包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管各自具有经耦合以接收所述钳位信号的栅极和耦合至所述较低轨的漏极，所述第一PMOS晶体管具有耦合在所述振荡器和所述第一电容器之间的源极，以及所述第二PMOS晶体管具有耦合在所述振荡器和所述第二电容器之间的源极。