[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括用于形成第一N型器件的第一N区、用于形成第二N型器件的第二N区、用于形成第一P型器件的第一P区以及用于形成第二P型器件的第二P区，且所述第一N型器件的阈值电压小于第二N型器件的阈值电压，所述第一P型器件的阈值电压小于第二P型器件的阈值电压，其中，所述第一N区与所述第一P区相邻接；

在所述第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的部分基底上形成栅介质层和位于所述栅介质层上的阻挡层；

在所述阻挡层上形成第一功函数层，所述第一功函数层的材料与阻挡层的材料不同；

刻蚀所述第一功函数层，保留位于所述第一P区的第一功函数层，所述刻蚀所述第一功函数层的工艺步骤包括：刻蚀去除所述第一N区以及第二P区的第一功函数层；

在刻蚀所述第一功函数层之后，在所述第一N区、第一P区、第二N区以及第二P区上形成第二功函数层；

刻蚀所述第一N区和第二N区的第二功函数层，直至露出所述第一N区和第二N区的阻挡层；

刻蚀所述第一N区的阻挡层，直至露出所述第一N区的栅介质层；

在所述第一P区和第二P区的第二功函数层上、第一N区的栅介质层上以及第二N区的阻挡层上形成第三功函数层，且所述第三功函数层还覆盖所述第一N区与第一P区交界处的阻挡层侧壁、第一功函数层侧壁以及第二功函数层侧壁；

在所述第三功函数层上形成第四功函数层，且所述第四功函数层的材料功函数类型与所述第三功函数层的材料功函数类型不同。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：

形成所述第二功函数层的工艺步骤包括，在所述第一N区和第二P区的阻挡层上、以及第一P区和第二N区的第一功函数层上形成所述第二功函数层；

刻蚀所述第一N区和第二N区的第二功函数层的工艺步骤包括，刻蚀去除所述第一N区的第二功函数层，且刻蚀去除所述第二N区的第二功函数层和第一功函数层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：

刻蚀所述第一功函数层的工艺步骤包括：刻蚀去除所述第一N区、第二N区以及第二P区的第一功函数层；

形成所述第二功函数层的工艺步骤包括：在所述第一N区、第二N区和第二P区的阻挡层上、以及第一P区的第一功函数层上形成所述第二功函数层；

刻蚀所述第一N区和第二N区的第二功函数层的工艺步骤包括：刻蚀去除所述第一N区和第二N区的第二功函数层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述第一N区的阻挡层之后、形成所述第三功函数层之前，位于所述第一N区与第一P区交界处的阻挡层侧壁、第一功函数层侧壁以及第二功函数层侧壁齐平。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于所述第一N区与第一P区交界处的阻挡层侧壁、第一功函数层侧壁以及第二功函数层侧壁与所述基底表面相垂直。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为TaN或者TaCN。

7.如权利要求1或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为5埃～20埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一N区的阻挡层的方法包括：在所述第一P区以及第二P区的第二功函数层上、以第二N区的阻挡层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一N区的阻挡层；去除所述掩膜层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅介质层之后、形成所述阻挡层之前，还在所述栅介质层上形成盖帽层；在刻蚀去除所述第一N区的阻挡层之后，还刻蚀去除所述第一N区的盖帽层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖帽层的材料为TiN。