[发明专利]一种等离子处理装置

权利要求书

1.一种等离子处理装置，所述等离子处理装置包括反应腔，反应腔是由顶盖、侧壁和底壁围绕构成的气密腔体，反应腔内包括一个上电极和一个下电极，一个射频电源通过匹配器和一根射频电缆连接并输出基波射频功率到所述下电极，使得上下电极之间产生电容耦合电场并产生等离子体，所述下电极上方设置有一个静电夹盘，所述静电夹盘用于固定待处理基片，利用所述等离子体对基片进行处理，

其特征在于，所述反应腔底壁下方包括一电接地的屏蔽板，所述屏蔽板围绕所述射频电缆，一介电材料环设置于射频电缆与屏蔽板之间，所述介电材料环与屏蔽板之间具有环形空间，所述介电材料环可上下移动，使所述介电材料环与屏蔽板之间的相对面积可调，所述屏蔽板包括一下端面，所述介电材料环的上端高于所述屏蔽板的下端面，且所述介电材料环的下端低于所述屏蔽板的下端面，所述屏蔽板与所述匹配器之间具有间隙，使所述介电材料环可上下移动。

2.如权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述介电材料环包括一个空腔，空腔内填充有液面高度可调的介电液。

3.如权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述介电材料环的介电材料的相对介电常数大于1.1。

4.如权利要求3所述的等离子处理装置，其特征在于，所述介电材料环的介电材料的介电常数大于1.5。

5.如权利要求4所述的等离子处理装置，其特征在于，所述介电材料环由特氟龙或者陶瓷材料制成。

6.如权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述介电材料环包括第一子介电材料环和第二子介电材料环，所述第一子介电材料环可以相对第二子介电材料环上下移动。

7.如权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述介电材料环在不同方位角上具有不同厚度，使得所述射频电缆到不同方位角具有不同的等效电容。

8.如权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述介电材料环使得射频电源输出的基波射频功率流入反应腔，同时反应腔内产生的谐波射频功率穿过所述介电材料环进入接地的屏蔽板。