[发明专利]一种石墨烯化学修饰方法

权利要求书

1.一种石墨烯化学修饰方法，其特征在于，包括以下步骤：

对石墨烯及基底采用脉冲激光直写进行图形化的光化学修饰；

对所述光化学修饰后的石墨烯及基底进行原子层选择性沉积。

2.根据权利要求1所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，重复所述光化学修饰和所述原子层选择性沉积过程实现石墨烯的多次修饰。

3.根据权利要求1所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，在所述光化学修饰和所述原子层选择性沉积前，采用惰性气体真空烘烤所述石墨烯及基底，所述惰性气体为Ar或He；所述烘烤的温度为100-600℃。

4.根据权利要求1所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，所述石墨烯为单层石墨烯或少层石墨烯；所述基底为Si、Si/SiO2、金属中的一种。

5.根据权利要求1所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，所述脉冲激光为飞秒激光、纳秒激光、皮秒激光中的一种；所述脉冲激光的能量范围为0.5-200mJ/cm²。

6.根据权利要求1所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，所述原子层选择性沉积的种类为金属、氧化物、氮化物、多组分化合物中的一种；所述原子层选择性沉积的衬底温度为50-400℃。

7.根据权利要求1所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，所述石墨烯化学修饰方法能应用于制备石墨烯器件。

8.根据权利要求7所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，所述制备石墨烯器件包括：

对石墨烯及基底采用脉冲激光直写进行图形化的光化学修饰；

对所述光化学修饰后的石墨烯及基底进行绝缘栅介质的原子层选择性沉积；

对沉积绝缘栅介质后的石墨烯及基底采用脉冲激光直写进行图形化的光化学修饰；

对光化学修饰后的石墨烯及基底进行金属电极的原子层选择性沉积。

9.根据权利要求8所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，在所述光化学修饰和所述原子层选择性沉积前，采用惰性气体真空烘烤所述石墨烯及基底。

10.根据权利要求8所述的石墨烯化学修饰方法，其特征在于，所述绝缘栅介质为氧化铝、氧化铪、氧化钛、多组分氧化物中的一种；所述金属电极为铝、铂、金、镍、铬中的一种。