[发明专利]CuInS2 有效
| 申请号: | 201611215893.7 | 申请日: | 2016-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN106634975B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
| 发明(设计)人: | 陈开敏;刘政;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号: | C09K11/62 | 分类号: | C09K11/62;B82Y20/00;B82Y40/00;C01G15/00 |
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 黄志云 |
| 地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cuins base sub | ||
1.一种CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,所述CuInS2合金量子点采用阳离子交换技术制备获得,具体包括以下步骤:
制备In2S3量子点:提供无机铟盐、单质硫、有机胺或有机膦,将所述无机铟盐、单质硫与所述有机胺或有机膦混合,惰性气氛下搅拌并脱气处理形成混合液,将所述混合液在惰性气氛下加热至80-150℃,保温35~80min,继续加热至180-250℃,所述无机铟盐和所述单质硫在所述反应介质中反应40~80min,生成In2S3量子点;
制备CuInS2合金量子点:将所述In2S3量子点溶于非极性溶剂中,在惰性气氛下搅拌处理,得到In2S3量子点溶液;将铜离子前驱体溶于硫醇中,在惰性气氛下搅拌处理,得到Cu-硫醇配体溶液;将所述Cu-硫醇配体溶液匀速注入到所述In2S3量子点溶液中进行阳离子交换,经纯化处理,得到CuInS2合金量子点。
2.如权利要求1所述的CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,制备所述Cu-硫醇配体溶液的步骤中,所述铜离子前驱体、硫醇的摩尔比为1-5:5-25。
3.如权利要求2所述的CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,将所述Cu-硫醇配体溶液匀速注入到所述In2S3量子点溶液中的步骤中,注入速率为0.1-0.5ml/min。
4.如权利要求1所述的CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,制备In2S3量子点的步骤中,所述无机铟盐中的铟原子与所述单质硫的摩尔比为2-5:3-8。
5.如权利要求4所述的CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,制备In2S3量子点的步骤中,所述无机铟盐的铟原子、所述单质硫、所述有机胺或有机膦的摩尔比为2-5:3-8:50-100。
6.如权利要求1-5任一所述的CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,所述无机铟盐包括无水氯化铟、硝酸铟、无水硫酸铟;和/或
所述铜离子前驱体包括醋酸亚铜、醋酸铜、硬脂酸亚铜、硬脂酸铜、氯化亚铜、氯化铜、溴化亚铜、溴化铜、碘化铜、碘化亚铜中的至少一种;和/或
所述硫醇为碳原子数量为8-18的硫醇;和/或
所述有机胺包括油胺、十八胺、八胺;和/或
所述有机膦包括三辛基膦、三丁基膦、二苯基膦。
7.如权利要求1-5任一所述的CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,用于溶解所述In2S3量子点的非极性溶剂包括甲苯、氯仿、环己烷。
8.如权利要求1-5任一所述的CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,将所述Cu-硫醇配体溶液匀速注入到所述In2S3量子点溶液中采用注射泵实现。
9.如权利要求1-5任一所述的CuInS2合金量子点的制备方法,其特征在于,所述纯化处理的方法为:用丙酮和甲苯将反应体系中的产物进行反复溶解、沉淀,离心提纯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611215893.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:烙铁
- 下一篇:一种提高煤焦气化反应性的方法
- 水溶性闪锌矿结构的CuInS<sub>2</sub>和CuInS<sub>2</sub>/ZnS核壳结构量子点及其制备方法
- 一种水溶性闪锌矿结构CuInS<sub>2</sub>或/和CuInS<sub>2</sub>/ZnS核壳结构量子点的制备方法
- CuInS<sub>2</sub>纳米晶及CuInS<sub>2</sub>/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法
- 一种基于TiO<sub>2</sub>-CuInS<sub>2</sub>核壳纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法
- 高效低成本染料敏化太阳能电池对电极材料一维铜铟硫-硫化锌异质结纳米晶的制备方法
- 一种CuInS<sub>2</sub>/ZnS和CuInS<sub>2</sub>/CdS/ZnS核壳结构量子点的制备方法
- CuInS<sub>2</sub>单晶体的制备方法和CuInS<sub>2</sub>单晶体制备装置
- 一种还原石墨烯-CuInS<sub>2</sub>复合材料制备方法
- 一种含纤锌矿孪晶结构的铜铟硫纳米晶及其制备方法
- 一种在CuFeO<sub>2</sub>/CuInS<sub>2</sub>复合半导体薄膜电极上将CO<sub>2</sub>还原为甲醇的方法
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法





