[发明专利]发光元件

说明书

本发明涉及抑制电极中所采用的金属材料的迁移、且提高光提取效率的发光元件。发光元件(1)具备：基板(11)；发光单元(101)等，它们设置于基板的上表面侧；光反射性电极(13)，其设置于发光单元等的上表面；第一绝缘层，其连续地将发光单元等的侧面及该侧面之间、和光反射性电极的侧面及上表面的一部分覆盖；配线电极等，其将发光单元等串联连接，并隔着第一绝缘层而将发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖；以及光反射性金属层等，它们隔着第一绝缘层将相邻的两个发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖，并与发光单元等未导通。光反射性金属层等的一部分隔着第一绝缘层将在发光单元等的上表面设置的光反射性电极的上表面的一部分覆盖。

技术领域

本发明涉及发光元件。

背景技术

提出有如下单片集成构造的发光元件：通过在层叠于1张基板上的半导体层叠体设置槽而划分为多个发光单元，并在多个发光单元之间进行布线。专利文献1中记载有在1张基板上形成有多个发光单元、且以倒置式安装于子安装基板的发光元件(参照图6)。

专利文献1：日本特开2010-62592号公报

对于专利文献1所记载的发光元件而言，由于从各发光单元的侧面射出的光被金属凸起部(bump)吸收、或者向相邻的其它发光单元入射，因此，难以获得较高的光提取效率。另外，在这些发光元件中，当将多个发光单元串联连接而使用时，在发光单元之间产生电位差。因此，用于电极的Ag等金属材料容易引起迁移(migration)。

发明内容

本发明的课题在于提供一种发光元件，其抑制了用于电极的金属材料的迁移、且提高了光提取效率。

本发明的发光元件具备：基板；多个半导体发光单元，它们设置于上述基板的上表面侧且在电气方面相互独立；光反射性电极，其设置于上述多个半导体发光单元各自的上表面；第一绝缘层，其连续地将上述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间、和上述光反射性电极的侧面以及上表面的一部分覆盖；配线电极，其将上述多个半导体发光单元以串联方式电连接，并且隔着上述第一绝缘层而将上述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间覆盖；以及光反射性金属层，其隔着上述第一绝缘层而将相邻的两个上述半导体发光单元的侧面以及该侧面之间覆盖，并且与上述半导体发光单元未电连接，上述光反射性金属层的一部分隔着上述第一绝缘层而将在上述相邻的两个半导体发光单元的上表面设置的各光反射性电极的上表面的一部分覆盖。

根据本发明所涉及的发光元件，能够抑制电极中所采用的金属材料的迁移、且提高光提取效率。

附图说明

图1A是示出第一实施方式所涉及的发光元件的结构的俯视图。

图1B是示出第一实施方式所涉及的发光元件的结构的剖视图，其示出了图1A中的IB－IB线处的截面。

图1C是示出第一实施方式所涉及的发光元件的结构的剖视图，其示出了图1A中的IC－IC线处的截面。

图2是示出第一实施方式所涉及的发光元件的等效电路的电路图。

图3A是用于对第一实施方式所涉及的发光元件的层叠构造进行说明的俯视图，其示出了n侧半导体层以及p侧半导体层的配置区域。

图3B是用于对第一实施方式所涉及的发光元件的层叠构造进行说明的俯视图，其示出了光反射性电极的配置区域。

图3C是用于对第一实施方式所涉及的发光元件的层叠构造进行说明的俯视图，其示出了第一绝缘层的配置区域。

图3D是用于对第一实施方式所涉及的发光元件的层叠构造进行说明的俯视图，其示出了配线电极以及光反射性金属层的配置区域。

图3E是用于对第一实施方式所涉及的发光元件的层叠构造进行说明的俯视图，其示出了第二绝缘层的配置区域。