[发明专利]显示设备有效
| 申请号: | 201611138997.2 | 申请日: | 2016-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN106935214B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
| 发明(设计)人: | 李正贤 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,该显示设备包括:
基板,所述基板包括显示区域和在所述显示区域的外围的非显示区域;
多条选通线,所述多条选通线沿着第一方向布置在所述基板的所述显示区域上;
多条数据线,所述多条数据线沿着第二方向布置在所述基板的所述显示区域上;
多个像素,所述多个像素在由所述多条选通线和所述多条数据线限定的相应像素区域中;以及
多个面板中选通GIP电路,所述多个GIP电路被设置在所述基板的所述显示区域上,以用于向所述多条选通线供应选通信号,
其中,所述多个GIP电路中的每一个GIP电路包括设置在相邻像素之间的边界中的多个薄膜晶体管,
其中,所述多条数据线包括彼此相邻并且彼此平行地布置的第一数据线和第二数据线,
其中,所述多个像素包括与所述第一数据线连接并且分别设置在所述第一数据线的左侧和右侧处的两个像素以及与所述第二数据线连接并且分别设置在所述第二数据线的左侧和右侧处的两个像素,并且
其中,所述多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和设置在所述多个像素中的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管被设置在与在设置在所述第一数据线的右侧处的像素和设置在所述第二数据线的左侧处的像素之间的边界对应的区域中,并且其中,包括在所述多个GIP电路中的每一个GIP电路中的所述第一薄膜晶体管的结构与包括在所述多个像素中的每一个像素中的所述第二薄膜晶体管的结构不同。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多条数据线不被设置在在所述第一数据线的右侧处设置的像素和在所述第二数据线的左侧处设置的像素之间的设置有所述多个薄膜晶体管的所述边界中。
3.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述第一薄膜晶体管包括:
第一有源层,所述第一有源层被设置在所述基板上,所述第一有源层包括沟道区域和设置在所述沟道区域的两侧中的每一侧处的掺杂层;
第一栅极绝缘膜,所述第一栅极绝缘膜被设置在所述第一有源层上;
第一栅极,所述第一栅极被设置在所述第一栅极绝缘膜上;
第二栅极绝缘膜,所述第二栅极绝缘膜被设置在所述第一栅极上;以及
第一源极和第一漏极,所述第一源极和所述第一漏极被设置在所述第二栅极绝缘膜上并且经由接触孔与所述第一有源层的所述掺杂层连接,并且
其中,所述第二薄膜晶体管包括:
第二栅极,所述第二栅极被设置在所述第一栅极绝缘膜上;
第二栅极绝缘膜,所述第二栅极绝缘膜被设置在所述第二栅极上;
第二有源层,所述第二有源层被设置在所述第二栅极绝缘膜上;以及
第二源极和第二漏极,所述第二源极和所述第二漏极被设置在所述第二有源层上。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述第一有源层由晶体硅形成,并且所述第二有源层由氧化物半导体形成。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多个GIP电路中的每一个GIP电路还包括设置在在所述第一数据线的右侧处设置的像素和在所述第二数据线的左侧处设置的像素之间的所述边界中并且沿着所述第二方向布置的信号线,其中,所述信号线用作所述第一薄膜晶体管的第一源极。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一薄膜晶体管包括:
第一漏极,所述第一漏极与所述多条选通线当中的任意一条选通线连接;以及
第一有源层,所述第一有源层与所述信号线和所述第一漏极连接,
其中,所述第一有源层的至少一部分沿着所述第二方向布置在在所述第一数据线的右侧处设置的像素和在所述第二数据线的左侧处设置的像素之间的所述边界中。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多个GIP电路中的每一个GIP电路包括与所述第一薄膜晶体管的第一栅极连接的节点线,其中,所述节点线沿所述第一方向布置。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述节点线和所述选通线由相同的材料形成并且被设置在同一层中,并且所述节点线和所述第一栅极通过连接电极彼此连接。
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