[发明专利]半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备

权利要求书

1.一种固体摄像装置，其包括：

第一晶片，其包括像素阵列部和第一布线层，所述像素阵列部具有多个光电转换部，其中，所述第一晶片包括第一基板和第一绝缘层，且所述第一布线层位于所述第一绝缘层内；

第二晶片，其包括第二布线层，其中，所述第二晶片包括第二基板和第二绝缘层，且所述第二布线层位于所述第二绝缘层内；

第三晶片，其包括第三布线层；

第二连接层，其布置在所述第一晶片与所述第二晶片之间；

第三连接层，其布置在所述第一晶片与所述第三晶片之间；

第一过孔，其布置成穿过所述第一晶片至所述第二晶片，其中，所述第一过孔贯穿所述第二连接层；

第二过孔，其布置在所述第一晶片中；

第五过孔，其从所述第三晶片布置至所述第一晶片，其中，所述第五过孔贯穿所述第三连接层；以及

连接部，其布置在所述第一晶片中，

其中，所述第一过孔连接至所述第一晶片中的所述连接部，且连接至所述第二晶片中的布线，

其中，所述第二过孔连接至所述第一晶片中的所述连接部，且连接至所述第一布线层中的布线，

其中，所述第五过孔电连接至所述第三布线层中的布线，且连接至所述第一晶片中的所述连接部，

其中，所述第一过孔在所述连接部的第一区域处连接至所述连接部，所述第二过孔在所述连接部的第二区域处连接至所述连接部，且所述第五过孔在所述连接部的第三区域处连接至所述连接部，并且

所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在平面图中不彼此重叠，

第一绝缘膜形成在所述第一过孔的侧壁上，第二绝缘膜形成在所述第二过孔的侧壁上，并且所述第一绝缘膜的底端和所述第二布线层之间的距离大于所述第二绝缘膜的底端和所述第一布线层之间的距离。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，布置在所述第一晶片中的所述连接部是第一连接布线。

3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述第三晶片包括第三基板和第五绝缘层，且所述第三布线层位于所述第五绝缘层内。

4.根据权利要求3所述的固体摄像装置，其中，所述第五绝缘层布置在所述第三连接层与所述第三基板之间。

5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其还包括第三过孔，所述第三过孔从所述第三晶片延伸至所述第一晶片并贯穿所述第三连接层，其中，所述第三过孔连接至所述第三布线层中的布线和第一布线层中的第二布线。

6.根据权利要求5所述的固体摄像装置，其中，所述第五过孔电连接至所述第一布线层中的第一布线。

7.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述第一晶片的所述光电转换部是光电二极管。

8.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，第二晶片包括逻辑电路。

9.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其中，所述第二晶片的所述第二布线层是所述逻辑电路的一部分。

10.根据权利要求2所述的固体摄像装置，其还包括：第六过孔，其布置在所述第三晶片中；以及第二连接布线，其中，所述第一过孔通过所述第二连接布线电连接至所述第六过孔。

11.根据权利要求10所述的固体摄像装置，其中，所述第六过孔接触所述第一布线层中的所述第一连接布线。

12.根据权利要求11所述的固体摄像装置，其中，所述第一过孔通过所述第六过孔电连接至所述第三布线层中的所述布线。

13.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其中，所述第一晶片的所述光电转换部包括形成在所述基板中的多个光电二极管。

14.根据权利要求13所述的固体摄像装置，其中，所述光电二极管布置成二维阵列。