[发明专利]显示装置的制造方法和成膜装置有效
| 申请号: | 201611043533.3 | 申请日: | 2016-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN107046049B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
| 发明(设计)人: | 小野敬亮 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰;徐飞跃 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 装置 | ||
本发明提供设置于显示装置的电极的制造方法以及含有该电极的显示装置的制造方法。或者提供具有应用该制造方法的电极的显示元件和显示装置。本发明的显示装置的制造方法包括下述工序:在基板上形成第一电极;在第一电极上形成有机层;通过使包括具有透光性的导电性氧化物的靶发生溅射而在有机层上形成第二电极,在形成第二电极时,在有机层与靶之间设置掩模,掩模具有周期性排列的最大宽度为0.1μm以上3μm以下的贯通孔。
技术领域
本发明涉及电极的制造方法和具有由该制造方法形成的电极的显示装置。例如涉及包括具有透光性的导电性氧化物的电极的制造方法和具有由该制造方法形成的电极的显示装置。
背景技术
作为显示装置的代表例,能够举出在各像素具有液晶元件、发光元件的液晶显示装置、EL(electroluminescence,电致发光)显示装置等。这些显示装置在形成在基板上的多个像素内的各个中具有液晶元件或发光元件等显示元件。液晶元件、发光元件具有一对电极,一对电极中的至少一方使可见光透过。例如发光元件具有含有发光性的有机化合物的层(以下称为有机层)被一对电极夹着的构造,以一对电极中的至少一个使可见光透过的方式设计。
作为使可见光透过的电极(以下称为透光性电极)的代表性材料能够举出铟-锡氧化物(ITO)、铟-锌氧化物(IZO)。在日本特开2008-84541号公报中,公开了将由溅射法形成将ITO膜、IZO膜用作透光性电极的EL显示装置。
发明内容
本发明的一实施方式是显示装置的制造方法。该制造方法包括下述步骤:在基板上形成第一电极的步骤;在第一电极上形成有机层的步骤;和通过使包含具有透光性的导电性氧化物的靶发生溅射而在有机层上形成第二电极的步骤。在第二电极形成时,在有机层与靶之间设置掩模,掩模周期性排列的具有最大宽度为0.1μm以上3μm以下的贯通孔。
本发明的一实施方式是显示装置的制造方法。该制造方法包括下述步骤:在基板上形成第一电极的步骤;在第一电极上形成有机层的步骤;在有机层上设置具有周期性排列的贯通孔的掩模的步骤;和通过使包含具有透光性的导电性氧化物的靶发生溅射而在有机层上形成第二电极的步骤。贯通孔的最大面积小于有机层和第一电极接触的面积。
本发明的一实施方式是成膜装置,其包括:腔室;位于腔室内的保持靶的保持件;位于腔室内且位于保持件之下的支承基板的工作台;在腔室内引起放电的电源;向腔室供给气体的气体供给部;和保持具有周期性配置的多个贯通孔的掩模,设置于基板与靶间的掩模保持件。
附图说明
图1是表示用于制作一实施方式的显示装置的装置的截面示意图。
图2A至图2D是表示一实施方式的显示元件的制造方法的示意图。
图3A、图3B是表示一实施方式的显示元件的制造方法的示意图。
图4A、图4B是在一实施方式的显示元件的制作时使用的掩模的俯视图和截面图。
图5A、图5B是在一实施方式的显示元件的制作时使用的掩模的俯视图和截面图。
图6A、图6B是在一实施方式的显示元件的制作时使用的掩模的俯视图和截面图。
图7A、图7B是在一实施方式的显示元件的制作时使用的掩模的俯视图和截面图。
图8A、图8B是表示一实施方式的显示元件的制造方法的示意图。
图9是一实施方式的显示装置的俯视示意图。
图10是一实施方式的显示装置的截面示意图。
图11是表示一实施方式的显示装置的制造方法的示意图。
附图标记说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





