[发明专利]一种685nmAlGaInP红光半导体激光器在审
| 申请号： | 201611035239.8 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108092132A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 朱振;张新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红光半导体激光器 半导体激光器 量子阱层 上缓冲层 下缓冲层 组分渐变 渐变 组分渐变缓冲层 欧姆接触层 晶格匹配 上波导层 上限制层 微分效率 下波导层 下限制层 应变条件 波导层 低应变 限制层 应变量 阱结构 衬底 激光 输出 | ||
1.一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；其特征在于，下缓冲层为Al
2.根据权利要求1所述的一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，所述下波导层及上波导层均为(Al
3.根据权利要求1所述的一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，所述下缓冲层Al
4.根据权利要求1所述的一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，所述上缓冲层Al
5.根据权利要求2所述的一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，所述下限制层及上限制层Al
6.根据权利要求1所述的一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，所述量子阱层为Ga
7.根据权利要求1所述的一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，所述欧姆接触层为P型GaAs。
8.根据权利要求1所述的一种685nm AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，所述衬底为N型GaAs。
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