[发明专利]基于电场调控磁性的磁场传感器噪声斩波抑制测量方法

权利要求书

1.一种基于电场调控磁性的磁场传感器噪声斩波抑制测量方法，其特征在于：所述磁场传感器包括磁电阻单元，磁电阻单元从下至上依次包括底层金属层、受电场调控的磁敏感层、空间层、钉扎层和顶层金属层；所述磁敏感层从下至上包括铁电层和磁性自由层；所述底层金属层和所述磁敏感层构成磁敏感单元；包括如下步骤：

S1.向磁场传感器的输入端施加交变电压，所述交变电压为调控电压，用于改变磁敏感单元的响应特性；

S2.获取所述磁场传感器输出端所输出信号中基波信号的幅值和相位；

S3.通过所述幅值和相位计算被测磁场大小；

所述输入端从磁场传感器的底层金属层引出，所述输入端为调控电压输入端。

2.根据权利要求1所述的基于电场调控磁性的磁场传感器噪声斩波抑制测量方法，其特征在于：所述步骤S1中所述交变电压满足式(1)所示：

V＝V_Esin(2πf_Et) (1)

式(1)中，V为施加至所述磁场传感器的输入端的电压，V_E为基准电压的幅值，f_E为所施加交变电压的频率，t为时间参数。

3.根据权利要求1所述的基于电场调控磁性的磁场传感器噪声斩波抑制测量方法，其特征在于：在所述步骤S1中，还包括向磁场传感器的偏置电压输入端施加偏置电压，调节磁场传感器的自由层磁矩。

4.根据权利要求1至3任一项所述的基于电场调控磁性的磁场传感器噪声斩波抑制测量方法，其特征在于：所述步骤S1中所述交变电压的频率大于所述磁场传感器输出端所输出信号中1/f噪声的拐点频率。

5.根据权利要求4所述的基于电场调控磁性的磁场传感器噪声斩波抑制测量方法，其特征在于：所述步骤S2中所述基波信号通过锁相技术从所述磁场传感器的输出信号中提取。