[发明专利]参考电压下降起始温度点可调电路及LED恒流驱动电源芯片

权利要求书

1.一种可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于，所述可调节参考电压下降起始温度点的电路包括：

初始电压生成模块，适于生成初始电压，所述初始电压为零温度系数电压；

设定电压生成模块，包括第一电流源及第一电阻；所述第一电流源与所述第一电阻串联，所述第一电流源远离所述第一电阻的一端与电源电压相连接，所述第一电阻远离所述第一电流源的一端接地；所述设定电压生成模块适于生成设定电压，所述设定电压为零温度系数电压；

第一比较电压生成模块，适于生成第一比较电压，所述第一比较电压随着温度的升高而降低；

参考电压生成模块，与所述设定电压生成模块、所述第一比较电压生成模块及所述初始电压生成模块相连接，适于依据所述设定电压及所述第一比较电压生成第二比较电压，并将所述初始电压与所述第二比较电压相减以得到参考电压；当所述设定电压小于或等于所述第一比较电压时，所述第二比较电压为零，当所述设定电压大于所述第一比较电压时，所述第二比较电压为所述设定电压与所述第一比较电压的差值的相关值。

2.根据权利要求1所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述初始电压生成模块包括：

第一调整系数单元，与一带隙基准电压相连接，适于将所述带隙基准电压乘以第一调整系数以得到所述初始电压。

3.根据权利要求2所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述第一调整系数单元包括：

第一运算放大器，包括同相输入端、反相输入端及输出端；所述第一运算放大器的同相输入端与所述带隙基准电压相连接；

第一NMOS管，包括栅极、源极及漏极；所述第一NMOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端相连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一运算放大器的反相输入端相连接；

第二电阻，一端与所述第一NMOS管的源极相连接；

第三电阻，一端与所述第二电阻远离所述第一NMOS管的一端相连接，另一端接地。

4.根据权利要求1所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述第一比较电压生成模块包括：

第一处理单元及第二调整系数单元；所述第一处理单元适于将一第三比较电压与一调整电压相减得到二者差值；所述第二调整系数单元适于将所述第三比较电压与所述调整电压的差值乘以第二调整系数以得到所述第一比较电压。

5.根据权利要求4所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述可调节参考电压下降起始温度点的电路还包括：

第三比较电压生成单元，适于生成所述第三比较电压，所述第三比较电压随着温度的升高而降低；

调整电压生成单元，适于生成所述调整电压，所述调整电压为零温度系数电压。

6.根据权利要求5所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述第三比较电压生成单元包括：

第二电流源，所述第二电流源一端与所述电源电压相连接；

三极管，包括发射极、集电极及基极；所述三极管的发射极与所述第二电流源相连接，所述三极管的集电极与所述三极管的基极相短接并接地。

7.根据权利要求5所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述调整电压生成单元包括：

第一电流镜，与所述电源电压及所述初始电压生成模块相连接；

第四电阻，一端与第一电流镜相连接，另一端与所述第一比较电压生成模块相连接；

第五电阻，一端与所述第一电流源及所述第一比较电压生成模块相连接，另一端接地。

8.根据权利要求7所述的可调节参考电压下降起始温度点的电路，其特征在于：所述第一比较电压生成模块包括：

所述第四电阻；

所述第五电阻；

第三运算放大器，包括同相输入端、反相输入端及输出端；所述第三运算放大器的同相输入端与所述第三比较电压生成单元相连接，所述第三运算放大器的反相输入端连接于所述第四电阻与所述第五电阻之间。