[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包含：

从基板突出的鳍形有源区；

在所述基板上的栅绝缘层；以及

在所述栅绝缘层上的沿着所述鳍形有源区的三侧延伸的栅电极结构，

其中所述栅电极结构包含在所述栅绝缘层上顺序层叠的下导电层和上导电层以及在所述下导电层和所述上导电层之间的硅氧化物层，所述下导电层包括阻挡金属层，

其中所述硅氧化物层沿着所述上导电层的侧壁和底表面延伸，以及

其中所述鳍形有源区的所述三侧包括所述鳍形有源区的顶侧、右侧和左侧。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极结构还包含在所述硅氧化物层和所述下导电层之间的半导体衬层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述半导体衬层包含硅层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包含在所述基板上的层间绝缘层，

其中所述层间绝缘层包含沟槽，以及

其中所述栅绝缘层、所述下导电层和所述硅氧化物层沿所述沟槽的侧壁和底表面延伸。

5.一种半导体器件，包含：

包含第一区域和第二区域的基板；

从所述基板的所述第一区域突出的第一鳍形有源区；

从所述基板的所述第二区域突出的第二鳍形有源区；

在所述第一鳍形有源区上的第一栅绝缘层；

在所述第一栅绝缘层上的沿着所述第一鳍形有源区的三侧延伸的第一栅电极结构，所述第一栅电极结构包含顺序层叠在所述第一栅绝缘层上的第一下导电层、第一硅氧化物层和第一上导电层，以及所述第一下导电层包含第一阻挡金属层；

在所述第二鳍形有源区上的第二栅绝缘层；以及

在所述第二栅绝缘层上的沿着所述第二鳍形有源区的三侧延伸的第二栅电极结构，所述第二栅电极结构包含顺序层叠在所述第二栅绝缘层上的第二下导电层和第二上导电层，

其中所述第一硅氧化物层沿着所述第一上导电层的侧壁和底表面延伸，

其中所述第一鳍形有源区的所述三侧包括所述第一鳍形有源区的顶侧、右侧和左侧，以及

其中所述第二鳍形有源区的所述三侧包括所述第二鳍形有源区的顶侧、右侧和左侧。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二栅电极结构还包含第二硅氧化物层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二硅氧化物层设置在所述第二下导电层和所述第二上导电层之间。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二栅电极结构还包含在所述第二硅氧化物层和所述第二栅绝缘层之间的半导体衬层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述半导体衬层不接触所述第二栅绝缘层。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二栅电极结构还包含在所述第二下导电层和所述第二上导电层之间的半导体衬层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二栅电极结构不包括在所述半导体衬层和所述第二上导电层之间的硅氧化物层。

12.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二栅电极结构不包括在所述第二下导电层和所述第二上导电层之间的硅氧化物层。

13.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一栅电极结构还包含在所述第一硅氧化物层和所述第一下导电层之间的半导体衬层。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述半导体衬层包含硅层或硅锗层。