[发明专利]EUV光刻用防尘薄膜组件中适宜的接着剂以及用该接着剂的防尘薄膜组件有效
| 申请号： | 201610937977.5 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106647161B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 堀越淳 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/22;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | euv 光刻 防尘 薄膜 组件 适宜 接着 以及 | ||
1.一种由防尘膜和防尘薄膜组件框架通过接着剂接着而构成的EUV光刻用防尘薄膜组件，其特征在于，所述接着剂为其硬化物在300℃的氛围气中7天连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围内的环氧系接着剂，
式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。
2.根据权利要求1所述的EUV光刻用防尘薄膜组件，其特征在于，EUV曝光时被暴露在200℃～300℃的温度中。
3.一种由防尘膜和防尘薄膜组件框架通过接着剂接着而构成的EUV光刻用防尘薄膜组件的制造方法，其特征在于，包括将环氧系接着剂涂布于防尘薄膜组件框架的工程，所述环氧系接着剂的硬化物在300℃的氛围气中7天连续静置时的用下述式表示的硬度的变化率为±50％的范围内，
式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。
4.一种适宜于EUV光刻用防尘薄膜组件中的接着剂的选择方法，其为为了将EUV光刻用防尘薄膜组件的防尘膜接着于防尘薄膜组件框架的、适宜于EUV光刻用防尘薄膜组件的接着剂的选择方法，其特征在于，将被试验接着剂的硬化物在300℃的氛围气中连续7天静置时的用下述式表示的硬度的变化率满足±50％的范围内的条件的接着剂选为适宜于EUV光刻用防尘薄膜组件中的接着剂，
式：硬度的变化率(％)＝{(所述静置后的硬度)－(所述静置前的硬度)}÷(所述静置前的硬度)×100。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
