[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610921150.5 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106935644B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 惠良淳史;畠中奖 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/207;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
衬底；
第一GaN层，其设置在所述衬底之上，含有碳；
第二GaN层，其设置在所述第一GaN层之上，含有过渡金属和碳；
第三GaN层，其设置在所述第二GaN层之上，含有过渡金属和碳；以及
电子供给层，其设置在所述第三GaN层之上，带隙比GaN大，
所述第三GaN层的过渡金属浓度为，从所述第二GaN层朝向所述电子供给层，从所述第二GaN层的过渡金属浓度起逐渐降低，在从所述电子供给层的下端起深度100nm的位置处比1×1015cm－3高且比5×1017cm－3低，
所述第三GaN层的碳浓度比5×1016cm－3低，
所述第二GaN层的上端比从所述电子供给层的下端起的800nm处深，
所述第三GaN层的碳浓度比所述第一以及第二GaN层的碳浓度低，
所述过渡金属是铁。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三GaN层的碳浓度比2×1016cm－3低。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一以及第二GaN层的碳浓度比2×1016cm－3高。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一以及第二GaN层的碳浓度比5×1016cm－3高。
5.一种半导体装置，其特征在于，具有：
衬底；
第一GaN层，其设置在所述衬底之上，含有碳；
第二GaN层，其设置在所述第一GaN层之上，含有过渡金属和碳；
第三GaN层，其设置在所述第二GaN层之上，含有过渡金属和碳；以及
电子供给层，其设置在所述第三GaN层之上，带隙比GaN大，
所述第三GaN层的过渡金属浓度为，从所述第二GaN层朝向所述电子供给层，从所述第二GaN层的过渡金属浓度起逐渐降低，在从所述电子供给层的下端起深度100nm的位置处比1×1015cm－3高且比5×1017cm－3低，
所述第三GaN层的碳浓度比5×1016cm－3低，
所述第一GaN层的上端比从所述电子供给层的下端起的800nm处深，
所述第二以及第三GaN层的碳浓度比所述第一GaN层的碳浓度低，
所述过渡金属是铁。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二以及第三GaN层的碳浓度比2×1016cm－3低。
7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二GaN层的过渡金属浓度比1×1017cm－3低。
8.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一GaN层的碳浓度比2×1016cm－3高。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一GaN层的碳浓度比5×1016cm－3高。
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