[发明专利]封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构用于封装摩擦纳米发电机，该封装结构包括由高分子层和无机薄膜层间隔堆叠而形成，所述封装结构的最内层的内部形成有空腔，所述空腔用于支持所述摩擦纳米发电机的器件的变形工作，并且，所述封装结构的所述最内层为其它封装层提供支撑作用；

所述高分子层和无机薄膜层间隔堆叠的结构由内向外包括：最内第一层为高分子薄膜层、第二层为高分子层、第三层为无机薄膜层、第四层为高分子层、第五层为高分子层，其中，第一层高分子层采用薄膜并在四周边合为一体形成融合边，第二层高分子层在所述第一层高分子层上旋涂而形成；所述无机物薄膜层沉积在所述第二层高分子层上，第四层高分子层在所述无机薄膜层上旋涂形成。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述高分子层由具有生物相容性的材料构成。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述高分子层的材料为下列材料中的一种或多种：聚二甲基硅氧烷、聚四氟乙烯、聚对二甲苯、硅橡胶、聚乳酸、聚乙二醇、聚乙烯醇、壳聚糖、聚氨酯、聚甲基丙烯酸酯、纤维素、甲壳素以及壳聚糖。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述无机薄膜层的材料为金属、合金或者金属氧化物。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述无机薄膜层的材料为以下中的一种或多种：金、银、铂、铝、镍、铜、铁、铬、锡、上述任意一种金属的合金或上述任意一种金属的氧化物。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构的厚度范围是0.5mm至3mm。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构的厚度为1.5mm。

8.根据权利要求1至5中任意一项权利要求所述的封装结构，其特征在于，所述高分子层中的每一层高分子层的厚度范围是10μm至500μm。

9.根据权利要求1至5中任意一项权利要求所述的封装结构，其特征在于，每一层所述无机薄膜层的厚度范围是20nm至1μm。

10.根据权利要求1至5中任意一项权利要求所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构的最外层由具有生物相容性和疏水性的材料构成。

11.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括使用高分子层和无机薄膜层间隔堆叠而形成用于封装摩擦纳米发电机的封装结构，所述封装结构的最内层的内部形成有空腔，所述空腔用于支持所述摩擦纳米发电机的器件的变形工作，并且，所述封装结构的所述最内层为其它封装层提供支撑作用，其中所述最内层采用高分子薄膜；

所述高分子层和无机薄膜层间隔堆叠的结构由内向外包括：最内第一层为高分子薄膜层、第二层为高分子层、第三层为无机薄膜层、第四层为高分子层、第五层高分子层，其中，第一层高分子层采用薄膜并在四周边合为一体形成融合边，在所述第一层高分子层上旋涂而形成第二层高分子层；所述第二层高分子层上沉积所述无机物薄膜层，在所述无机薄膜层上旋涂形成第四层高分子层。