[发明专利]用于晶体管栅极的帽盖介电结构在审
| 申请号： | 201610915037.6 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107039527A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | A·W·罗森鲍姆;D-H·梅伊;S·S·普拉丹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 邬少俊,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 栅极 帽盖介电 结构 | ||
1.一种晶体管栅极，其包括：
一对栅极间隔体，
布置在所述一对栅极间隔体之间的凹进的栅极电极；以及
基本上没有空洞的帽盖介电结构，所述基本上没有空洞的帽盖介电结构布置为邻近于所述凹进的栅极电极，并且在所述一对栅极间隔体之间。
2.如权利要求1所述的晶体管栅极，其中所述基本上没有空洞的帽盖介电结构包括氮化硅。
3.如权利要求2所述的晶体管栅极，其中所述氮化硅包括高密度等离子沉积的氮化硅。
4.如权利要求1所述的晶体管栅极，其中所述基本上没有空洞的帽盖介电结构包括碳化硅。
5.如权利要求4所述的晶体管栅极，其中所述碳化硅包括高密度等离子沉积的碳化硅。
6.如权利要求1所述的晶体管栅极，其中所述凹进的栅极电极为非平坦的栅极电极。
7.一种微电子器件，其包括：
非平坦晶体管鳍上方的非平坦晶体管栅极，其中所述非平坦晶体管栅极包括在一对栅极间隔体之间凹进的栅极电极和基本上没有空洞的帽盖介电结构，所述基本上没有空洞的帽盖介电结构布置在所述一对栅极间隔体之间的所述凹进的栅极电极上，
源/漏区；
至少一个介电材料层，所述至少一个介电材料层在所述源/漏区、非平坦晶体管栅极间隔体、和所述基本上没有空洞的帽盖介电结构的上方；以及
源/漏触点，所述触点延伸通过所述至少一个介电材料层的一部分而与所述源/漏区接触。
8.如权利要求7所述的微电子器件，其中所述基本上没有空洞的帽盖介电结构包括氮化硅。
9.如权利要求8所述的微电子器件，其中所述氮化硅包括高密度等离子沉积的氮化硅。
10.如权利要求7所述的微电子器件，其中所述基本上没有空洞的帽盖介电结构包括碳化硅。
11.如权利要求10所述的微电子器件，其中所述碳化硅包括高密度等离子沉积的碳化硅。
12.如权利要求7所述的微电子器件，其中所述源/漏触点邻接一个非平坦晶体管栅极间隔体的至少一部分。
13.如权利要求12所述的微电子器件，其中所述源/漏触点邻接所述帽盖介电结构的至少一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610915037.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
