[发明专利]半导体封装件及其制法在审
| 申请号: | 201610913497.5 | 申请日: | 2016-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN107818953A | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
| 发明(设计)人: | 潘嘉伟;高迺澔;江东升 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/14;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 王涛 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 | ||
1.一种半导体封装件,其特征在于,所述半导体封装件包含:
一承载件,具有相对的一第一设置面与一第二设置面;
一支撑件,设置于所述承载件的所述第二设置面,所述支撑件的热膨胀系数大于所述承载件的热膨胀系数;
多个芯片,分离设置于所述承载件的所述第一设置面;
封装胶体,形成在所述承载件的所述第一设置面且包覆所述多个芯片的外周面;及
一线路重布结构层,形成于所述封装胶体的表面与所述多个芯片的主动面,且电连接各所述芯片。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述承载件与所述支撑件之间设有一结合层。
3.如权利要求1或2所述的半导体封装件,其特征在于,所述承载件的厚度小于所述支撑件的厚度。
4.如权利要求3所述的半导体封装件,其特征在于,所述承载件的热膨胀系数小于8ppm/℃,所述支撑件的热膨胀系数大于或等于8ppm/℃。
5.如权利要求4所述的半导体封装件,其特征在于,所述承载件的厚度为所述支撑件的厚度的二分之一。
6.如权利要求5所述的半导体封装件,其特征在于,所述支撑件的分布区域涵盖所述封装胶体。
7.如权利要求6所述的半导体封装件,其特征在于,所述支撑件的热膨胀系数为大于或等于8ppm/℃以及小于或等于10ppm/℃。
8.如权利要求7所述的半导体封装件,其特征在于,各所述芯片包含有相对的一第一表面与一第二表面,各所述芯片以所述第一表面通过一胶层固定于所述承载件,各所述芯片的所述第二表面为一主动面,所述主动面形成有多个电极垫,所述主动面与所述多个电极垫的表面位于同一平面。
9.如权利要求8所述的半导体封装件,其特征在于,所述封装胶体的表面以及各所述芯片的所述主动面与所述多个电极垫的表面位于同一平面,各所述芯片的所述主动面与所述多个电极垫外露于所述封装胶体。
10.如权利要求9所述的半导体封装件,其特征在于,所述线路重布结构层包含有:
一绝缘基材;
多个中介电连接部,设置在所述绝缘基材内且分别电连接所述多个芯片的所述多个电极垫;以及
多个导电块,分别形成于所述多个中介电连接部的外露于所述绝缘基材的表面,并电连接所述多个中介电连接部。
11.一种半导体封装件的制法,其特征在于,所述半导体封装件的制法包含:
准备一承载件,所述承载件具有相对的一第一设置面与一第二设置面,所述第一设置面设有分离设置的多个芯片,各所述芯片具有一主动面,所述主动面形成有多个电极垫;
在所述承载件的所述第一设置面形成一封装胶体,各所述芯片的所述主动面与所述多个电极垫外露于所述封装胶体;
在所述承载件的所述第二设置面设置一支撑件,所述支撑件的热膨胀系数大于所述承载件的热膨胀系数;以及
形成一线路重布结构层于所述封装胶体的表面与所述多个芯片的所述主动面,完成所述半导体封装件。
12.如权利要求11所述的半导体封装件的制法,其特征在于,于所述承载件的所述第二设置面设置所述支撑件的步骤中,包含有:
在所述第二设置面设置一结合层;以及
将所述支撑件设置在所述结合层,使所述支撑件通过所述结合层设置在所述承载件的所述第二设置面。
13.如权利要求11或12所述的半导体封装件的制法,其特征在于,在所述承载件的所述第一设置面形成所述封装胶体的步骤中,包含有:
在所述承载件的所述第一设置面上形成一包覆胶体,所述包覆胶体包覆所述多个芯片;以及
移除部分的所述包覆胶体以形成所述封装胶体,使所述封装胶体露出各所述芯片的所述主动面与所述多个电极垫。
14.如权利要求11或12所述的半导体封装件的制法,其特征在于,所述承载件的厚度小于所述支撑件的厚度。
15.如权利要求11或12所述的半导体封装件的制法,其特征在于,所述支撑件的分布区域涵盖所述封装胶体。
16.如权利要求11或12所述的半导体封装件的制法,其特征在于,所述承载件的热膨胀系数小于8ppm/℃,所述支撑件的热膨胀系数大于或等于8ppm/℃。
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