[发明专利]具有纳米材料的导电箔及其制作方法，及电容器封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种导电箔及其制作方法，以及一种电容器封装结构，特别是涉及一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。

背景技术

电容器已广泛被使用于消费性家电用品、计算机主板、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本组件，其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等等，是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质以及用途，有不同的形态，包括有铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、卷绕型或堆叠型固态电解电容器以及薄膜电容等等。现有技术中，卷绕型固态电解电容器包括有电容器组件、收容构件以及封口构件。电容器组件隔着绝缘件将一连接阳极端子的阳极箔与一连接阴极端子的阴极箔进行卷绕。收容构件具有开口部且可收容电容器组件。封口构件具有一可供阳极端子及阴极端子贯穿的贯穿孔以及一可密封收容构件的封口部。然而，为了降低阳极箔与阴极箔的阻抗并提升现有的卷绕型固态电解电容器的电气性能，卷绕型固态电解电容器的阳极箔与阴极箔还具有改善空间。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种具有纳米材料的导电箔，其包括：一金属基层结构以及一复合式纳米材料结构。所述复合式纳米材料结构设置在所述金属基层结构上。其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。

更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层以及一完全包覆所述金属基层的氧化层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述氧化层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。

更进一步地，所述金属基层结构为一表面无氧化层的金属基层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述金属基层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。

更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层、一完全包覆所述金属基层的氧化层以及一设置在所述氧化层上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。

更进一步地，所述金属基层结构包括一表面无氧化层的金属基层以及一设置在所述金属基层结构上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种具有纳米材料的导电箔的制作方法，其包括下列步骤：首先，提供一金属基层结构；接着，形成一石墨材料于所述金属基层结构上；然后，形成一复合式纳米材料结构于所述金属基层结构上。其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。