[发明专利]基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器在审
| 申请号： | 201610907785.X | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107957629A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 李萍;范宝泉 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司12107 | 代理人： | 张义 |
| 地址： | 300000 天津市北辰区北辰经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 特氟龙 材料 缓冲 新型 宽带 铌酸锂 电光 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器，其特征在于，自下而上依次包括：基底材料(1)、光学波导(2)、缓冲层(3)、电极结构(4)，所述缓冲层(3)采用厚度为0.1um至5um的特氟龙材料，所述光学波导(2)采用钛扩散光学波导或退火质子交换光学波导，波导扩散宽度为1至20μm，扩散深度为1至20μm；电极结构(4)采用厚度为0.1μm至30μm的金属薄膜制成的推挽型行波电极结构。
2.根据权利要求1所述的一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述基底材料(1)采用厚度为0.1mm至2mm的X切Y传铌酸锂晶体。
3.根据权利要求1所述的一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述基底材料(1)采用厚度为0.1mm至2mm的Z切Y传铌酸锂晶体。
4.根据权利要求1所述的一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器，其特征在于，所述基底材料(1)和光学波导(2)之间还有铌酸锂脊型结构(5),基底材料(1)采用厚度为0.1mm至2mm的Z切Y传铌酸锂晶体；铌酸锂脊型结构(5)采用脊型深度1至10μm、脊型宽度1至10μm的正脊型波导结构。
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