[发明专利]宽范围负载电容的低压差线性稳压器在审

专利信息
申请号: 201610875728.8 申请日: 2016-10-08
公开(公告)号: CN107918433A 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 肖山 申请(专利权)人: 深圳指瑞威科技有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518101 广东省深圳市宝安区福永*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 范围 负载 电容 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种宽范围负载电容的低压差线性稳压器,其特征在于,包括:放大级、缓冲级、补偿网络和输出级;

所述放大级为单级放大电路,给整个环路提供一定的增益,减少增益误差;

所述缓冲级用于将所述放大级的高输出阻抗和所述输出级的输出极功率管M5的栅极隔离,且其输出阻抗非常低,使其形成一个高频极点,利于环路稳定;

所述补偿网络一端与所述放大级输出连接,一端与所述输出极的输出端连接;

所述输出级,连接一个分压电阻串,电阻分压反馈给放大级的负输入端形成负反馈,输出稳定的电压,同时提供负载需要的驱动电流。

2.如权利要求1所述的宽范围负载电容的低压差线性稳压器,其特征在于,所述放大级由单级运算放大器组成,所述放大级具有正输入端、负输入端和输出端。

3.如权利要求1所述的宽范围负载电容的低压差线性稳压器,其特征在于,所述缓冲级由电流源IS1、IS2,晶体管M0、M1、M2、M3、M4组成。

4.如权利要求3所述的宽范围负载电容的低压差线性稳压器,其特征在于,所述M0、M1、M2为NMOS管,所述M3、M4为PMOS管;所述M4镜像所述输出极功率管M5;电流源IS2>IS1,电流源IS1流进M0;电流源IS2的一部分电流流进M3,一部分电流流进M2;所述M0和M1为1:1的镜像管,M0和M1的源极接系统地VSS;M2的栅极和M1的漏极相连,M2的漏极和M4的栅极连接,M2的源极接系统地;M3的栅极为所述缓冲级的输入端,M3的源极与电流源IS2相连,M3的漏极与M1的漏极、M2的栅极相连,M3的源极为所述缓冲级的输出端;M4的栅、漏极连接到M3的源极,M4的源极接外接电源VDD。

5.如权利要求1所述的宽范围负载电容的低压差线性稳压器,其特征在于,所述补偿网络由电阻R1和电压C1构成,R1和C1串联组成环路补偿网络。

6.如权利要求1所述的宽范围负载电容的低压差线性稳压器,其特征在于,所述输出级由PMOS管M5、电容C2、分压电阻R2和R3构成。

7.如权利要求6所述的宽范围负载电容的低压差线性稳压器,其特征在于,所述M5为所述输出级的输出极功率管,具有很强的电流驱动能力;M5的漏极接分压电阻R2和R3;所述分压电阻R2和R3串联形成分压电阻串,所述分压电阻串用于将所述输出级的电阻分压连接到放大级的负输入端形成负反馈环路;所述电容C2跨接在M5的栅极和漏极之间,用于控制输出电压Vout随负载变化保持较为稳定的状态,实现较低的负载调整率。

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