[发明专利]基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置

权利要求书

1.一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于，所述非晶硅生长方法包括步骤：

1)提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；所述磁场生成单元包括磁片，所述磁片贴设于所述沉积衬底的下方；

2)将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。

2.根据权利要求1所述的基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于：步骤1)中，所述沉积衬底包括晶体硅、石英玻璃或金属。

3.根据权利要求1所述的基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于：步骤2)中，采用的所述化学气相沉积法包括等离子体化学气相沉积法。

4.根据权利要求1所述的基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于：将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅包括以下步骤：

2-1)将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，将所述反应室内抽至所需的本底真空度；

2-2)向所述反应室内通入反应气体，采用等离子体化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。

5.根据权利要求4所述的基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于：步骤2-1)中，所述反应室的本底真空度为10Pa～1000Pa。

6.根据权利要求4所述的基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于：步骤2-2)中，所述反应气体包括硅源气体及稀释气体。

7.根据权利要求6所述的基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于：所述硅源气体包括SiH₄、Si₂H₆、SiHC_l3或SiH₃CH₃的一种或多种的组合；所述稀释气体包括H₂、N₂、Ar或He的一种或多种的组合。

8.根据权利要求6或7所述的基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于：所述反应气体中硅源气体的体积百分比浓度为1％～50％。

9.根据权利要求4所述的基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法，其特征在于：步骤2-2)中，采用等离子体化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅时所述沉积衬底表面的温度为20℃～400℃，等离子体化学气相沉积的等离子体辉光功率密度为0.01W/cm²～0.5W/cm²。

10.一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长装置，其特征在于，所述装置包括：

反应室；

化学气相沉积托盘，位于所述反应室内；

沉积衬底，位于所述反应室内，且位于所述化学气相沉积托盘表面；

磁场生成单元，位于所述反应室内，适于生成与所述沉积衬底表面平行的磁场；所述磁场生成单元为磁片，所述磁片位于所述化学气相沉积托盘与所述沉积衬底之间。