[发明专利]具有单列直插引线模块的半导体功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件包括：

一个引线框单元，具有顶面，以及与顶面相对的底面；

多组单列直插引线组，位于引线框单元侧边附近排成一列，每组单列直插引线组包括多数个单列直插引线；

多个半导体芯片堆栈，每个半导体芯片堆栈都包括

一个具有顶面和底面的高端半导体芯片，高端半导体芯片的底面通过第一层导电接合材料，连接到引线框单元的顶面；

一个具有第一端和第二端的第一夹片，第一夹片的第一端的底面通过第二层导电接合材料，连接到高端半导体芯片顶面上的源极垫，第一夹片的第二端底面通过第三层导电接合材料，连接到多组单列直插引线组中对应的一组单列直插引线组中的第一引线的顶面；以及

一个具有顶面和底面的低端半导体芯片，低端半导体芯片的底面通过第四层导电接合材料，连接到第一夹片第一端的顶面；以及

成型封装；

其中所述的多个半导体芯片堆栈中的每个低端半导体芯片的顶面上的源极垫都接地；并且

其中所述的多个半导体芯片堆栈中的每个高端和低端半导体芯片和第一夹片，以及至少部分引线框单元都嵌入在成型封装中。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其中所述的多个半导体芯片堆栈的每个堆栈都包括

一个具有第一端和第二端的第二夹片，第二夹片第一端的底面通过第五层导电接合材料，连接到低端半导体芯片顶面上的源极垫，第二夹片第二端的底面通过第六层导电接合材料，连接到多组单列直插引线组中对应的单列直插引线组中的第二引线顶面；

其中第二引线为接地引线；并且

其中至少部分第二夹片嵌入在成型封装中。

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其中第一接合引线将高端半导体芯片的栅极垫连接到多组单列直插引线组中对应的单列直插引线组中的第三引线；并且

其中第二接合引线将低端半导体芯片的栅极垫连接到多组单列直插引线组中对应的单列直插引线组中的第四引线。

4.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其中引线框单元的底面从成型封装中裸露出来。

5.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其中第二夹片的顶面从成型封装中裸露出来。

6.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其中桥接结构将第二夹片的第一端连接到第二夹片的第二端；并且

其中桥接结构具有一个凹槽。

7.根据权利要求1所述的半导体功率器件，包括一个连接夹片，将多个半导体芯片堆栈的每个低端半导体芯片顶面上的源极垫都连接到多个单列直插引线组中的接地引线。

8.根据权利要求7所述的半导体功率器件，其中连接夹片的顶面从成型封装中裸露出来。

9.一种用于制备半导体功率器件的方法，该方法包括以下步骤：

制备一个具有多个引线框单元的引线框带；

在每个引线框单元侧边附近制备多组单列直插引线组，所述的多组单列直插引线组排列成行，每组单列直插引线组

包括多数个单列直插引线；

将多个高端半导体芯片的底面，通过第一层导电接合材料，连接到所述的每个引线框单元的顶面；

将多个第一夹片的第一端的底面分别连接到对应的多个高端半导体芯片的顶面，将多个第一夹片的第二端的底面分别连接到对应的更多组单列直插引线组中的第一引线顶面；

将多个低端半导体芯片的底面，分别连接到对应的所述多个第一夹片的第一端；

将多个低端半导体芯片的每个顶面上的源极垫电连接到接地端；

封装成型，覆盖引线框带的顶面，所述多个高端半导体芯片连接到所述的每个引线框单元，多个第一夹片分别连接到对应的多个高端半导体芯片多个低端半导体芯片分别连接到对应的多个第一夹片；并且

分割引线框带和封装，制成半导体功率器件；

其中每个半导体功率器件都具有多个高端半导体芯片。