[发明专利]双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法

权利要求书

1.一种双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法，其特征在于：至少包括如下步骤：

步骤101、在衬底上制作背电极；具体为：

通过直流磁控溅射沉积系统在衬底材料上沉积厚度为500-700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，接近衬底的为高阻Mo层，所述高阻Mo层的厚度范围是100-150nm，在所述高阻Mo层上再沉积厚度范围是400-550nm的低阻Mo层；

步骤102、在上述背电极上利用共蒸发铜、铟、镓、硒四种元素的方法制备厚度2微米以上的铜铟镓硒薄膜；

步骤103、在上述铜铟镓硒薄膜上，采用化学水浴沉积的方法制备缓冲层，所述缓冲层为50nm厚的硫化镉薄膜；

步骤104、在上述缓冲层上采用射频磁控溅射的方法制备50nm厚的本征氧化锌薄膜；

步骤105、在上述本征氧化锌薄膜上，采用直流磁控溅射方法依次制备厚度范围是120nm的掺铝氧化锌薄膜和厚度范围是260-320nm的氧化铟锡薄膜；

步骤106、在透明导电膜上，采用低温丝网印刷工艺，制备银上电极，制备温度不高于100℃，从而完成电池制备；

所述衬底为聚酰亚胺衬底、钛箔衬底、钙钠玻璃中的一种。

2.根据权利要求1所述双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法，其特征在于：所述背电极的厚度为500nm；其中：高阻Mo层的厚度为100nm；低阻Mo层的厚度为400nm。

3.根据权利要求1所述双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法，其特征在于：所述背电极的厚度为700nm；其中：高阻Mo层的厚度为150nm；低阻Mo层的厚度为550nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法，其特征在于：所述步骤106中的制备温度为99℃。

5.根据权利要求4所述双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法，其特征在于：所述步骤105的掺铝氧化锌薄膜中，铝元素摩尔百分含量为2％。

6.根据权利要求4所述双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法，其特征在于：所述步骤105的氧化铟锡薄膜中，铟和锡的摩尔百分比为9：1。

7.一种根据利要求1-6任一项所述双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法制备的太阳电池。