[发明专利]具有改进的电源电压抑制的电压调节器电路、系统和方法有效

专利信息
申请号: 201610829684.5 申请日: 2016-09-18
公开(公告)号: CN106933287B 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: S·皮特伊 申请(专利权)人: 意法设计与应用股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 捷克*** 国省代码: 捷克;CZ
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摘要:
搜索关键词: 具有 改进 电源 电压 抑制 调节器 电路 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种控制电压调节器以改进所述电压调节器的电源电压抑制的方法,所述方法包括消去由于存在于所述电压调节器的电源电压节点上的噪声信号到所述电压调节器的参考电压节点的寄生电容性耦合而在所述参考电压节点上生成的噪声信号,所述参考电压节点上的所述噪声信号通过对所述电源电压节点上的所述噪声信号进行反相并应用增益以生成噪声消去信号并且在所述参考电压节点上提供所述噪声消去信号来消去,其中对所述电源电压节点上的所述噪声信号进行反相并应用增益以生成噪声消去信号包括响应于所述电源电压节点上的所述噪声信号而对MOS晶体管的阈值电压进行调制。

2.根据权利要求1所述的方法,其中响应于所述电源电压节点上的所述噪声信号而对所述MOS晶体管的所述阈值电压进行调制包括将所述电源电压节点上的所述噪声信号应用到所述MOS晶体管的主体。

3.根据权利要求2所述的方法,其中在所述参考电压节点上提供所述噪声消去信号包括通过补偿电容将所述噪声消去信号电容性地耦合到所述参考电压节点。

4.根据权利要求3所述的方法,其中通过所述补偿电容将所述噪声消去信号电容性地耦合到所述参考电压节点包括将所述补偿电容耦合在所述参考电压节点与所述MOS晶体管的栅极之间。

5.根据权利要求4所述的方法,还包括选择所述补偿电容的值,所述补偿电容的值与所述寄生电容性耦合的值除以所述增益相等。

6.根据权利要求5所述的方法,还包括对所述参考电压节点上的所述噪声信号进行滤波。

7.一种电压调节器,包括耦合在电源电压节点与所述电压调节器的高阻抗节点之间的噪声补偿电路,所述噪声补偿电路被配置为响应于存在于所述电源电压节点上的噪声信号而生成噪声消去信号,并且被配置为在所述高阻抗节点上提供所述噪声消去信号以消去由于在所述高阻抗节点与所述电源电压节点之间的寄生电容性耦合而在所述高阻抗节点上生成的噪声信号,

其中所述噪声补偿电路包括反相缓冲器,所述反相缓冲器具有耦合到所述电源电压节点的输入和通过补偿电容耦合到所述高阻抗节点的输出,所述补偿电容具有与提供所述高阻抗节点与所述电源电压节点之间的寄生电容性耦合的寄生电容的值除以所述反相缓冲器的增益近似相等的值。

8.根据权利要求7所述的电压调节器,还包括:

电压参考电路,其具有输出;以及

滤波器,其耦合在所述电压参考电路的所述输出与所述电压调节器的所述高阻抗节点之间。

9.根据权利要求8所述的电压调节器,其中所述反相缓冲器还包括与电流源串联耦合的二极管耦合的MOS晶体管,所述电流源处于所述电压参考电路的所述输出和参考节点之间,其中所述二极管耦合的MOS晶体管的栅极通过所述补偿电容耦合到所述高阻抗节点并且所述MOS晶体管的主体耦合到所述电源电压节点。

10.根据权利要求9所述的电压调节器,其中所述二极管耦合的MOS晶体管包括PMOS晶体管,所述PMOS晶体管具有耦合到所述电压参考电路的所述输出的源极节点和耦合到所述栅极并且耦合到所述电流源的漏极。

11.根据权利要求10所述的电压调节器,还包括输出电路,所述输出电路耦合到所述高阻抗节点并且被配置为响应于所述高阻抗节点上的参考电压而生成输出电压。

12.根据权利要求8所述的电压调节器,其中所述滤波器包括RC滤波器。

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