[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，将晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片在由形成于第1方向上的多条第1分割预定线和形成于与该第1方向交叉的第2方向上的多条第2分割预定线划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法具有如下的步骤：

第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧聚光在晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层的第1方向改质层；

第2方向改质层形成步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤之后，沿着该第2分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧聚光在晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第2分割预定线的多层的第2方向改质层；以及

分割步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤和该第2方向改质层形成步骤之后，对晶片施加外力，以该第1方向改质层和该第2方向改质层为断裂起点将晶片沿着该第1分割预定线和该第2分割预定线断裂从而分割成一个个的器件芯片，

其特征在于，

该第2方向改质层形成步骤包含如下的T字路加工步骤：在与形成有该第1方向改质层的该第1分割预定线呈T字路相交的该第2分割预定线的内部形成第2方向改质层，

在该T字路加工步骤中，当将聚光成圆锥形状的激光束的聚光点从晶片的背面定位在正面附近时，以该圆锥形状的激光束的一部分不超过先形成的该第1方向改质层的方式形成第1改质层，当与该第1改质层重叠地形成第2改质层时，也以聚光成该圆锥形状的激光束的一部分不超过先形成的该第1方向改质层的方式形成第2改质层，以相同的方式依次形成的第2方向改质层的端部从下层到上层朝向先形成的第1方向改质层形成为逆阶梯状。