[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610764720.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107785409A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈海;郑忠庆;王祝山 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
器件区；
划片支撑区，所述划片支撑区环绕所述器件区设置，并且所述划片支撑区沿着远离器件区的方向向下延伸与所述器件区的底部构成凹槽；以及
金属层，所述金属层覆盖所述凹槽。
2.根据权利要1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括多个所述器件区。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述划片支撑区自上而下限定出器件区支撑段和凹槽支撑段，其中，所述凹槽支撑段的宽度小于所述器件区支撑段的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述划片支撑区是由衬底材料形成的。
5.一种制备权利要求1～4任一项所述的半导体器件的方法，其特征在于，包括：
(1)提供半导体结构，所述半导体结构包括器件区、划片支撑区以及衬底，其中，所述器件区设置在所述衬底上表面上，所述划片支撑区环绕所述器件区；
(2)在所述半导体结构下表面设置刻蚀模板，所述刻蚀模板覆盖与所述划片支撑区相对应的所述衬底的下表面；
(3)依据所述刻蚀模板对所述半导体结构进行自下而上的刻蚀处理，以便降低所述半导体结构未被所述刻蚀模板覆盖区域的厚度；
(4)去除所述刻蚀模板；以及
(5)在经过步骤(4)处理的所述半导体结构的下表面设置金属层，以便形成所述半导体器件。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)之后以及步骤(2)之前，进一步包括：
在所述半导体结构上表面设置保护膜。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述刻蚀处理为湿法刻蚀或者干法刻蚀。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蚀处理为干法刻蚀，所述刻蚀处理的刻蚀宽度等于所述器件区横截面的宽度。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蚀处理为湿法刻蚀，所述刻蚀处理的刻蚀宽度大于所述器件区横截面的宽度。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤(4)进一步包括：
(a)去除所述刻蚀模板；
(b)去除所述保护膜；
(d)对所述半导体器件的下表面退火处理。
11.根据权利要求5～10任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体结构包括多个所述器件区。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括：
沿所述划片支撑区对所述半导体结构进行切割。
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