[发明专利]一种择优取向的铟锡合金薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610752183.1 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106282960B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞金;魏文左;张大伟;陶春先 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/30;C23C14/24 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟锡合金 薄膜 择优取向 制备 烘烤 辐照时间控制 电子束辐照 薄膜表面 电子束流 镀膜夹具 生长取向 石英基片 真空条件 传感器 附着性 结晶度 均匀性 热稳定 镀膜 改性 沉积 轰击 应用 表现 | ||
1.一种择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，膜料的选择，采用一定含铟质量百分数的铟锡合金作为所述膜料；
步骤二，基片的准备，经过一定清洗方式将所述基片清洗干净后，放置于真空蒸发设备中的镀膜夹具上；
步骤三，铟锡合金薄膜的形成，在所述真空蒸发设备中，在一定的真空度和烘烤温度下以一定速率沉积所述膜料到所述基片上，得到所述铟锡合金薄膜；
步骤四，择优取向的铟锡合金薄膜的形成，在所述真空蒸发设备中，在一定的真空条件下，控制大小，采用一定大小的电子束流的电子束辐照所述铟锡合金薄膜的表面，进行一定时间的轰击得到所述择优取向的铟锡合金薄膜，
其中，在所述步骤四中，所述真空度为大于5×10-4Pa，所述电子束流大小为15mA，所述轰击的时间为5-30min。
2.根据权利要求1所述的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，其特征在于：
其中，在所述步骤二中，所述清洗方式为：
依次采用温度0℃的丙酮、酒精、去离子水对所述基片分别超声波清洗10min。
3.根据权利要求1所述的优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，其特征在于：
其中，在所述步骤三中，采用电子束蒸法得到所述铟锡合金薄膜。
4.根据权利要求1所述的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，其特征在于：
其中，在所述步骤三中，所述真空度为大于5×10-4Pa，所述烘烤温度为100-200℃，所述速率为
5.根据权利要求1所述的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，其特征在于：
其中，所述含铟质量百分数为99％。
6.根据权利要求1所述的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，其特征在于：
其中，所述基片为石英基片。
7.一种根据权利要求1至6任意一项所述的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法得到的择优取向的铟锡合金薄膜，其特征在于：
其中，所述择优取向为C轴择优取向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学，未经上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610752183.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
