[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法

权利要求书

1.一种霍尔元件，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层。

2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于，所述P型砷化铟层的厚度为20nm～1000nm；所述N型砷化铟层厚度为100nm-1000nm。

3.根据权利要求1或2所述的霍尔元件，其特征在于，所述N型砷化铟层的掺杂元素为硅和/或碲和/或硫；所述衬底为砷化镓衬底。

4.一种权利要求1-3任一项所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上形成P型砷化铟层；

在所述P型砷化铟层上形成N型砷化铟层。

5.根据权利要求4所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述P型砷化铟层通过外延生长工艺或化学气相沉积工艺制备。

6.根据权利要求5所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述P型砷化铟层的生长方法为：以砷烷(AsH₃)或叔丁基砷(TBAs)为砷源、三甲基铟(TMIn)为铟源、二乙基锌(DEZn)或者二茂镁(Cp₂Mg)为掺杂源，氢气(H₂)为载气，生长温度为450℃-600℃，压力为20-500mbar，Ⅴ/Ⅲ比为5-200，进行生长。

7.根据权利要求5所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述P型砷化铟层的生长方法为：以固态砷(As₄)为砷源、固态铟为铟源、固态铍或固态锌或固态镁为掺杂源，生长温度300℃-550℃，压力为1E-10Torr，Ⅴ/Ⅲ比为1-100，进行生长。

8.根据权利要求4-7任一项所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述N型砷化铟层通过外延生长工艺或化学气相沉积工艺制备。

9.根据权利要求8所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述N型砷化铟层的生长方法为：以砷烷(AsH₃)或叔丁基砷(TBAs)为砷源、三甲基铟(TMIn)为铟源、硅烷(SiH₄)或乙硅烷(Si₂H₆)为掺杂源，氢气(H₂)为载气，生长温度为450℃-600℃，压力为20-500mbar，Ⅴ/Ⅲ比为5-200，进行生长。

10.根据权利要求8所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述N型砷化铟层的生长方法为：以固态砷(As₄)为砷源，固态铟为铟源，固态硅为掺杂源，生长温度300℃-550℃，背景压力为1E-10Torr，Ⅴ/Ⅲ比为1-100，进行生长。