[发明专利]结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺

说明书

本发明公开一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，包括：提供基底，此基底包括第一区以及多个第二区，其中第二区位于第一区的相对两侧，且多个突起图案形成于基底上；在第一区上形成光致抗蚀剂图案，其中当突起图案至少位于第一区上且与待形成的光致抗蚀剂图案的位置重叠时，在形成光致抗蚀剂图案之前，移除突起图案。

技术领域

本发明涉及一种结构上的半导体制作工艺，且特别是涉及一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺。

背景技术

在光刻制作工艺中，所形成的光致抗蚀剂图案的轮廓和关键尺寸(CriticalDimension；CD)会严重地受到基底(substrate)的地形(topography)以及来自基底上或基底中的图案的反射率(reflectivity)的影响。为了降低基底的地形以及反射率对于所形成的光致抗蚀剂图案的轮廓和关键尺寸造成影响，目前是通过光学临近修正(OpticalProximity Correct；OPC)处理的方式在形成光致抗蚀剂图案前先进行参数上的调整。

然而，在许多情况下，光学临近修正处理仍不足以提升所形成的光致抗蚀剂图案的轮廓和关键尺寸的准确性。因此，目前仍需要一种可降低受基底的地形以及反射率影响的光致抗蚀剂图案制作工艺。

发明内容

本发明提供一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，能够提高所形成的光致抗蚀剂图案的轮廓以及关键尺寸的准确性。

本发明的一实施例的结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，其步骤包括：首先，提供基底，所述基底包括第一区以及多个第二区，其中第二区位于第一区的相对两侧，且多个突起图案形成于基底上。接着，在第一区上形成光致抗蚀剂图案，其中当突起图案至少位于第一区上且与待形成的光致抗蚀剂图案的位置重叠时，在形成光致抗蚀剂图案之前，移除突起图案。

在本发明的一实施例中，上述的第一区例如是主动区(active area)。

在本发明的一实施例中，上述的第二区例如是隔离区(isolated area)。

在本发明的一实施例中，上述在移除突起图案之后且在形成光致抗蚀剂图案之前，还包括于第二区上形成突起图案。

本发明的一实施例的结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，其步骤包括：首先，提供基底，所述基底包括第一区以及多个第二区，其中第二区位于第一区的两侧。接着，在第一区上形成光致抗蚀剂图案，其中当第二区的宽度为第一区的宽度的1倍以上时，在形成光致抗蚀剂图案前，在第二区中形成第三区，使得位于第一区与第三区之间的第二区的宽度小于第一区的宽度的1倍。

在本发明的一实施例中，上述的第一区例如是主动区。

在本发明的一实施例中，上述的第二区例如是隔离区。

在本发明的一实施例中，上述的第三区的材料例如是硅、多晶硅、硅锗或氧化硅。

在本发明的一实施例中，上述的第三区的材料与第一区的材料相同。

基于上述，在本发明的结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺中，先将第一区上与光致抗蚀剂图案的位置重叠的突起图案移除，因此所形成光致抗蚀剂图案的位置为较为平坦的区域，可避免因基底地形与反射率对光致抗蚀剂图案所造成的影响，因此可得到具有符合所需的图案轮廓以及关键尺寸的光致抗蚀剂图案。或者是，在本发明的结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺中，使第一区旁的第二区的宽度小于第一区的宽度的1倍，以减少反射率所造成的影响，因此所形成的光致抗蚀剂图案具有较佳的图案轮廓以及所需的关键尺寸。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1D为依照本发明的第一实施例所绘示的光致抗蚀剂图案的制作流程剖面示意图；