[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本公开的一些实施例提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置于基底上的虚设鳍状结构，设置于一部分虚设鳍状结构上的虚设栅极结构，虚设栅极结构嵌入于其中的第一层间介电层，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第二层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与虚设栅极结构重叠。

技术领域

本公开的一些实施例涉及半导体装置的制造方法，特别涉及装置上部包含电阻导线的结构及其制造方法。

背景技术

在半导体装置，例如集成电路(integrated circuit，IC)或大型集成电路(largescale integration，LSI)中，使用了许多电阻。一些电阻由形成于基底中的扩散区制成，一些电阻由形成于结构上层的导电层制成。随着半导体装置尺寸的缩小，需要更有效率的电阻布局。

发明内容

根据本公开的一个观点，半导体装置包含设置于基底上的虚设鳍状结构，设置于一部分虚设鳍状结构上的虚设栅极结构，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第二层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与虚设栅极结构重叠。

在本公开的半导体装置的一个实施方式中，一或多个附加的层间介电层设置于该第一层间介电层和该第二层间介电层之间。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该电阻导线的导电材料包含一过渡金属的氮化物。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该电阻导线的导电材料包含氮化钛(TiN)及氮化钽(TaN)的其中至少一者。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该虚设栅极结构包含设置于该虚设鳍状结构上的二或多个虚设栅极电极，该些虚设栅极电极沿着一第一方向延伸，且沿着垂直于该第一方向的一第二方向排列，以及该电阻导线沿着该第一方向延伸。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该电阻导线在沿着该第一方向上较该虚设栅极电极长。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，接触于该电阻导线的只有四个接触，且在平面图中，该虚设栅极结构设置于该四个接触中的两个接触和该四个接触中剩余的两个接触之间。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该四个接触与该虚设栅极结构不重叠。

根据本公开的另一观点，半导体装置包含设置于基底上的第一虚设鳍状结构，设置于一部分第一虚设鳍状结构上的第一虚设栅极结构，第一虚设栅极结构嵌入于其中的第一层间介电层，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，设置于第二层间介电层上的第三层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第三层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与第一虚设鳍状结构部分或完全重叠。

在本公开的半导体装置的一个实施方式中，还包括下列至少一者：

一第一绝缘层，设置于该第一层间介电层和该第二层间介电层之间，该第一绝缘层由与该第一层间介电层和该第二层间介电层不同的材料制成，且该第一绝缘层较该第一层间介电层和该第二层间介电层薄；以及

一第二绝缘层，设置于该第二层间介电层和该第三层间介电层之间，该第二绝缘层由与该第二层间介电层和该第三层间介电层不同的材料制成，且该第二绝缘层较该第二层间介电层和该第三层间介电层薄。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该电阻导线的导电材料包含氮化钛(TiN)及氮化钽(TaN)的其中至少一者。

在本公开的半导体装置的另一个实施方式中，该第一虚设栅极结构包含设置于该第一虚设鳍状结构上的二或多个第一虚设栅极电极，该些第一虚设栅极电极沿着一第一方向延伸，且沿着垂直于该第一方向的一第二方向排列，以及该电阻导线沿着该第一方向延伸，且该第一虚设鳍状结构沿着该第二方向延伸。