[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一虚设鳍状结构，设置于一基底上；

一虚设栅极结构，设置于一部分的该虚设鳍状结构上；

一第一层间介电层，该虚设栅极结构嵌入于其中；

一第二层间介电层，设置于该第一层间介电层上；以及

一电阻导线，由导电材料形成，且嵌入于该第二层间介电层，

其中在平面图中，该电阻导线与该虚设栅极结构重叠，且该虚设栅极结构包含设置于该虚设鳍状结构上的二或多个虚设栅极电极，该些虚设栅极电极沿着一第一方向延伸，且沿着垂直于该第一方向的一第二方向排列，以及该电阻导线沿着该第一方向延伸。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中一或多个附加的层间介电层设置于该第一层间介电层和该第二层间介电层之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该电阻导线的导电材料包含一过渡金属的氮化物。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该电阻导线的导电材料包含氮化钛(TiN)及氮化钽(TaN)的其中至少一者。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该电阻导线在沿着该第一方向上较该虚设栅极电极长。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中接触于该电阻导线的只有四个接触，且在平面图中，该虚设栅极结构设置于该四个接触中的两个接触和该四个接触中剩余的两个接触之间。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该四个接触与该虚设栅极结构不重叠。

8.一种半导体装置，包括：

一第一虚设鳍状结构，设置于一基底上；

一第一虚设栅极结构，设置于一部分的该第一虚设鳍状结构上；

一第一层间介电层，该第一虚设栅极结构嵌入于其中；

一第二层间介电层，设置于该第一层间介电层上；

一第三层间介电层，设置于该第二层间介电层上；以及

一电阻导线，由导电材料形成，且嵌入于该第三层间介电层，

其中在平面图中，该电阻导线与该第一虚设鳍状结构部分或完全重叠。

9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括下列至少一者：

一第一绝缘层，设置于该第一层间介电层和该第二层间介电层之间，该第一绝缘层由与该第一层间介电层和该第二层间介电层不同的材料制成，且该第一绝缘层较该第一层间介电层和该第二层间介电层薄；以及

一第二绝缘层，设置于该第二层间介电层和该第三层间介电层之间，该第二绝缘层由与该第二层间介电层和该第三层间介电层不同的材料制成，且该第二绝缘层较该第二层间介电层和该第三层间介电层薄。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其中该电阻导线的导电材料包含氮化钛(TiN)及氮化钽(TaN)的其中至少一者。

11.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一虚设栅极结构包含设置于该第一虚设鳍状结构上的二或多个第一虚设栅极电极，该些第一虚设栅极电极沿着一第一方向延伸，且沿着垂直于该第一方向的一第二方向排列，以及该电阻导线沿着该第一方向延伸，且该第一虚设鳍状结构沿着该第二方向延伸。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中在平面图中，该些第一虚设栅极电极的其中至少一个与该电阻导线重叠。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其中在平面图中，该些第一虚设栅极电极的其中至少一个与该电阻导线不重叠。