[发明专利]OLED显示装置及其压力触控驱动方法有效
| 申请号: | 201610585740.5 | 申请日: | 2016-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN107644611B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
| 发明(设计)人: | 王鹏鹏;董学;陈小川;王海生;刘英明;丁小梁;赵卫杰;杨盛际;李昌峰;刘伟;高健 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示装置 及其 压力 驱动 方法 | ||
本申请公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其压力触控驱动方法,该OLED显示装置包括:硅基板;形成在所述硅基板上的像素单元和磁敏传感器;磁场发生装置。所述磁场发生装置对应于所述磁敏传感器设置且设置在所述硅基板下方或形成在所述硅基板之中。所述磁敏传感器用于检测磁场变化且将所述磁场变化转化为电压差输出。
技术领域
本发明的实施例涉及OLED显示装置及其压力触控驱动方法。
背景技术
在显示装置中实现压力触控以实现更加丰富的触控操作是业内的研究热点以及市场开发的重点。为了实现压力触控,可在显示装置中集成压敏传感器。目前采用电磁感应式的模组叠层结构的压敏传感器大多采用矩形线圈接收感应的方式。但是,这种矩形线圈要么只能用于接收磁性笔发出的较强信号,要么则只能勉强感应到手指触摸微弱信号,而无法对手指压力进行压力等级区分。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的实施例提供了一种有机发光二极管(OLED) 显示装置及压力触控驱动方法,以在OLED显示装置中实现更好的压力触控操作。
本发明的一个实施例提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置,包括:硅基板;形成在所述硅基板上的像素单元和磁敏传感器;磁场发生装置。所述磁场发生装置对应于所述磁敏传感器设置且设置在所述硅基板下方或形成在所述硅基板之中;所述磁敏传感器用于检测磁场变化且将所述磁场变化转化为电压差输出。
在所述OLED显示装置的一个示例中,所述磁敏传感器包括第一端、第二端、第三端、第四端,所述第一端与所述第三端相对设置构成第一对端子,所述第二端与所述第四端相对设置构成第二对端子,所述第一对端子用于接收输入信号而所述第二端端子用于输出感应信号,或者,所述第二对端子用于接收输入信号而所述第一端端子用于输出感应信号。
在所述OLED显示装置的一个示例中,所述磁敏传感器包括:设置在所述硅基板上的P型半导体衬底、在所述P型半导体衬底上形成的N型半导体区以及在所述N型半导体区上形成的第一n+离子注入区域、第二n+离子注入区域、第三n+离子注入区域和第四n+离子注入区域,所述第一至第四 n+离子注入区域分别对应于所述磁敏传感器的第一至第四端。
在所述OLED显示装置的一个示例中,所述N型半导体区为正方形N 型半导体区,且所述第一-第四n+离子注入区域依次分别位于所述正方形N 型半导体区的四个顶点处。
在所述OLED显示装置的一个示例中,在所述P型半导体衬底和N型半导体区之间还包括p+离子浅掺杂层,所述p+离子浅掺杂层的面积小于所述 N型半导体区的面积,并且所述p+离子浅掺杂层覆盖在所述N型半导体区的中心区域上。
在所述OLED显示装置的一个示例中,所述像素单元包括像素驱动电路、OLED以及一个或多个电连接层,所述OLED通过所述电连接层连接到像素驱动电路,所述像素驱动电路形成在所述P型半导体衬底之中。
在所述OLED显示装置的一个示例中,所述磁场发生装置包括至少一个通电线圈,在所述OLED显示装置的一个示例中,所述至少一个通电线圈包括沿第一方向布置的第一层线圈和沿第二方向布置的第二层线圈,所述第一方向与所述第二方向相交叉,所述第一层线圈和所述第二层线圈的交叠区域对应于所述磁敏传感器。
在所述OLED显示装置的一个示例中,每个所述磁敏传感器对应于一个或多个所述像素单元。
在所述OLED显示装置的一个示例中,所述OLED显示装置还包括连接到所述磁敏传感器的信号检测电路。
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