[发明专利]一种具有高CTI值的太阳能电池组件用背板有效
| 申请号: | 201610470827.8 | 申请日: | 2016-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN105914248B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 梅云宵;林维红;王伟;周光大;林建华 | 申请(专利权)人: | 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 邱启旺 |
| 地址: | 311300 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 cti 太阳能电池 组件 背板 | ||
1.一种具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,由基底层、涂覆于基底层表面的耐候层和涂覆于基底层另一表面的粘结层组成;其特征在于,所述耐候层厚度为10μm-40μm,以质量份数计,由以下物料配置而成:含氟树脂100份,固化剂10~30份,固化促进剂0.5~2份,无机填料5~40份,有机填料0~20 份,助剂1~5份,溶剂50~150份;所述粘结层厚度为10μm-40μm,以质量份数计,由以下物料配置而成:基体树脂100份,固化剂5~25份,固化促进剂0.5~2份,无机填料5~40份,有机填料0~20份,助剂1~5份,溶剂50~150份;所述无机填料粒径为0.3μm~3μm且经过表面改性,所述有机填料粒径为1μm~5μm;所述无机填料采用偶联剂进行表面改性处理,其具体方案如下:首先在高速分散机中加入一定质量的无机填料,保持釜内氮气氛围下,在3000-8000r/min转速下边搅拌边加入偶联剂,偶联剂用量为无机填料用量的0.5wt%~5wt%,添加完毕后将转速提高到10000-30000r/min,釜内温度保持在至110°-140°C之间,继续搅拌1~2h后自然冷却至室温,得到偶联剂改性的无机填料,密封保存,待用;所述有机填料与耐候层的含氟树脂,粘结层的基体树脂进行预分散处理,采用高速分散机在1000~3000r/min转速下分散5~15min,制备有机填料含量在20~30%的浆料。
2.根据权利要求1所述的具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,其特征在于,所述的含氟树脂选自偏氟乙烯、三氟乙烯-乙烯基醚共聚物、三氟乙烯-乙烯基酯共聚物、四氟乙烯-乙烯基醚共聚物、四氟乙烯-乙烯基酯共聚物。
3.根据权利要求2所述的具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,其特征在于,所述基体树脂选自聚氨酯、丙烯酸树脂、含氟树脂。
4.根据权利要求1所述的具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,其特征在于,所述固化剂选自异氰酸酯、氨基树脂、封闭型异氰酸酯、嵌段异氰酸酯、三聚氰胺。
5.根据权利要求1所述的具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,其特征在于,所述无机填料选自氢氧化铝、氢氧化镁、滑石粉、黏土、硅酸、二氧化硅、空心玻璃微珠、空心陶瓷微珠、三氧化二锑;所述有机填料选自PTFE粉末、PVDF粉末、PE粉末、三聚氰胺焦磷酸盐、三聚氰胺尿酸盐、聚磷酸铵。
6.根据权利要求1所述的具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,其特征在于,所述偶联剂选自硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂。
7.根据权利要求6所述的具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,其特征在于,所述的硅烷偶联剂选自γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氨丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基-丙基三甲氧基硅烷 、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基三甲氧基硅烷;所述的钛酸酯偶联剂选自异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基三(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基二油酸酰氧基(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯、单烷氧基不饱和脂肪酸钛酸酯、双(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撑钛酸酯。
8.根据权利要求1所述的具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,其特征在于,所述的助剂选自分散剂、流平剂、消泡剂;所述溶剂选自甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇甲醚醋酸酯、丁酮;所述固化促进剂为有机锡类固化促进剂。
9.根据权利要求1所述的具有高CTI值的太阳能电池组件用背板,其特征在于,所述的基底层选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





