[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一初始鳍部及第二初始鳍部，第二初始鳍部的两端分别与相邻的第一初始鳍部连接，第一初始鳍部和第二初始鳍部呈封闭的环状结构；形成第一初始鳍部及第二初始鳍部后，在所述半导体衬底上形成第一初始隔离结构，所述第一初始隔离结构覆盖第一初始鳍部和第二初始鳍部的侧壁；去除第二初始鳍部，形成第二凹槽；

形成第二凹槽后，在所述第二凹槽中填充满第二初始隔离结构，第二初始隔离结构和第一初始隔离结构构成隔离结构；

在所述第一初始鳍部中形成第一凹槽，所述第一凹槽沿着垂直于第一初始鳍部延伸方向贯穿第一初始鳍部；

在第一凹槽暴露出的第一初始鳍部侧壁形成外延层；

形成外延层后，在所述第一凹槽中填充满隔离层；

形成隔离层后，形成横跨第一初始鳍部的栅极结构；

在所述栅极结构两侧的第一初始鳍部中形成凹陷，将所述凹陷的两侧壁均作为生长源漏掺杂区的种子，在所述凹陷中形成源漏掺杂区。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料为单晶硅、单晶锗或者单晶锗化硅。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述外延层的工艺为外延生长工艺。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述外延层的生长速率为100埃/分钟～2000埃/分钟。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

6.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为高K氧化硅。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一初始鳍部的顶部表面具有保护层；所述第一凹槽还延伸至保护层中并贯穿保护层；所述鳍式场效应晶体管的形成方法还包括：形成隔离层后且在形成栅极结构之前，去除所述保护层。

8.根据权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅、氮化钛或者氮氧化硅。

9.根据权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，第一凹槽还延伸至隔离结构中；

所述鳍式场效应晶体管的形成方法还包括：

形成隔离层后，在所述隔离结构中形成开口，所述开口暴露出第一初始鳍部两侧的部分侧壁，且所暴露出的部分侧壁平行于第一初始鳍部延伸方向；

形成开口后，去除保护层；

去除保护层后，在部分开口中和部分第一初始鳍部的顶部表面形成横跨第一初始鳍部的栅极结构。

10.根据权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成第一初始鳍部和第二初始鳍部的工艺为自对准双重图形化工艺。

11.根据权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：去除第二初始鳍部、以及与第二初始鳍部连接的部分第一初始鳍部，形成第二凹槽。

12.根据权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的方法包括：

在所述半导体衬底上形成第一初始隔离结构，所述第一初始隔离结构覆盖第一初始鳍部和第二初始鳍部的侧壁；

去除第二初始鳍部、以及与第二初始鳍部连接的部分第一初始鳍部，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露出第一初始鳍部的部分侧壁。